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半导体器件
无权-视为撤回

申请号:86101884 申请日:1986-03-22
摘要:一种全自对准的多晶硅发射极双极晶体管.用发射极台面(7)的氧化侧壁(8)(侧壁隔离层)作为+P基极接触注入的掩膜,可实现P+基极接触(12)的自对准.采用与发射极台面(7)相同的多晶硅所确定的多晶硅对准台面(14)的氧化侧壁(17),可获得收集极接触(13)的对准,但对准台面是淀积在氧化物(2)上.而不是淀积在被注入的基区(5)之上.
申请人: ITT工业公司
地址: 美国纽约10022
发明(设计)人: 彼得·丹尼斯·斯科维尔 彼得·夫里德·布洛姆利 罗格·莱斯利·巴克 加里·约翰·托姆金斯
主分类号: H01L21/18
分类号: H01L21/18 H01L29/72
  • 法律状态
1988-11-02  
1986-11-12  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、制造双极晶体管的方法包括如下步骤;在未氧化的安排于半导体衬底之中的基区表面上确定多晶硅发射极台面;对台面的侧壁和露出的未氧化的基区表面进行氧化;至少使用了台面的一个氧化的侧壁作为注入掩模,将基极接触区注入到衬底,以便与基区接触,从而基极接触区是与发射极自行对准的。
公开号  86101884
公开日  1986-11-12
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  赵越
颁证日  
优先权  1985.3.23 GB 8507602
国际申请  
国际公布  
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