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半导体芯片附着装置
无权-驳回

申请号:86101652 申请日:1986-03-14
摘要:提供了一个适合于将半导体芯片12附着到衬底14上的半导体芯片附着装置10.用于消散热应力的金属缓冲部件20置于衬底14和半导体芯片12之间,以消散衬底和芯片在热循环中产生的应力.金属缓冲部件20是用银--锡组分的焊封材料焊封在衬底和芯片之间,焊接材料50于单独应用于将一芯片焊到衬底上并消散由热循环产生的应力.
申请人: 奥林公司
地址: 美国伊利诺伊州62024
发明(设计)人: 迈克尔·J·普约 米利斯·C·费斯特 纳伦德拉·N·辛格迪奥 迪帕克·马胡利卡 萨特亚姆·C·奇鲁库里
主分类号: H01L23/02
分类号: H01L23/02 H01L23/12 H01L21/58
  • 法律状态
1992-05-27  
1988-07-06  
1986-11-12  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、适用于将半导体芯片12附着到衬底14的一个半导体芯片附着装置10,其特征在于; 一个衬底14; 一个半导体芯片12; 用于消散上述衬底和芯片在热循环中产生的热应力,而设置在上述衬底14和上述半导体芯片12之间并使间者焊牢的组件16。热应力消散组件16的特征在于; 一具有在约35×10-7到约100×10-7英寸/英寸/度之间的热膨胀系数的薄缓冲部件20;和 用于将上述金属缓冲部件焊于上述衬底和上述芯片的焊接材料18,19。
公开号  86101652
公开日  1986-11-12
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  赵越
颁证日  
优先权  1985.3.14 US 711,868;1985.6.3 US 740,789;1986.2.10 US 826,808
国际申请  
国际公布  
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