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浸渍阴极
无权-未缴年费

申请号:86101082 申请日:1986-02-06
摘要:本发明涉及一种浸渍阴极,其特点是在浸渍阴极颗粒表面至少有两层薄膜:下层是由如Os、Ru、Rh、Pd、Ir、Pt、Re、Mo、W、Ta等组成的高熔点金属薄膜;下层是含Sc2O3的高熔点金属层,并覆盖于下层之上.浸渍阴极颗粒是用电子发射材料浸渍难熔多孔主体而制成.本发明也涉及有此电极的电子管.此阴极表面有长时期稳定的低逸出功单原子层.
申请人: 株式会社日立制作所
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 山本惠彦 田口贞宪 会田敏之 渡部勇人 川濑进
主分类号: H01J1/14
分类号: H01J1/14 H01J1/20
  • 法律状态
1998-04-08  
1989-10-18  授权
1988-12-28  审定
1987-09-16  
1986-08-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种浸渍阴极,其特征是在有电子发射材料浸渍难熔多孔主体形成的浸渍阴极表面上至少有两层薄膜:下层是高熔点金属薄膜;上层是含Sc2O3的高熔点金属薄膜,并复盖于下层薄膜之上。
公开号  86101082
公开日  1986-08-20
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  徐汝∴ 刘梦梅
颁证日  
优先权  1985.2.8 JP 23084/85
国际申请  
国际公布  
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