搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

利用空气环境用冶金级硅粒子生产半导体级硅球产品
无权-届满

申请号:86100377 申请日:1986-02-15
摘要:本发明涉及到一种由冶金级硅制造用于太阳电池的太阳电池级的单晶硅球的方法.该方法包括将冶金级硅粒子筛分到所需范围及在空气中将粒子外表面进行氧化从而在其上形成氧化表面层.然后粒子在空气中被加热并使在表面层内的硅熔化从而使杂质移向表面层.然后将其中的表面层和杂质腐蚀掉对剩下的粒子再次重复该循环直到硅纯度达到所需级别.可采用一中间粒化(shot)步骤来产生用于重复循环中的加工原料的基本上直径均匀的球体.
申请人: 德克萨斯仪器公司
地址: 美国德克萨斯州75265,达拉斯县,中北高速公路13500
发明(设计)人: 朱尔斯·D·李维 米勒德·J·詹逊
主分类号: C30B29/60
分类号: C30B29/60
  • 法律状态
2001-10-03  
2001-02-14  授权
1992-03-04  
1989-08-09  
1987-08-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种由相对低纯度的冶金级材料形成太阳电池级硅半导体材料的方法,包括步骤: (a)在空气中处理相对低纯度的半导体材料以便在其上形成一种热稳定化合物的氧化物表面层。 (b)将上述表面层内的材料熔化,同时保持在上述表面层内的熔化材料从而使在上述材料内的杂质向上述表面层移动。 (c)使该材料冷却从而在上述表面层内形成一种单晶固体材料。 (d)从上就可完成粒子上去除上述表面层。 (e)在上述粒子上重复步骤(a)到(d)。
公开号  86100377
公开日  1987-08-26
专利代理机构  上海专利事务所
代理人  颜承根
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期