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半导体钾离子传感器
无权-终止

申请号:85205673 申请日:1985-12-11
摘要:半导体钾离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头,它是由Mos管、敏感膜、电极杆组成,其特征是敏感膜用双冠醚组成,Mos管引出的探头接口处,用硅橡胶密封,能专一性的测定待测液钾离子活度。该电极具有性能稳定、灵敏度高等优点。
申请人: 南京大学
地址: 江苏省南京市汉口路南京大学科研处
发明(设计)人: 朱春生 黄德培 王德枌 付庭治 胡宏纹
主分类号: G01N27/26
分类号: G01N27/26
  • 法律状态
1990-05-23  
1988-10-05  授权
1988-02-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种由MOS管、敏感膜、电极杆所组成的半导体钾离子传感器,其特征是:用乙醇和乙醚预先处理,由MOS管栅极上引出的铂丝,然后在铂丝上涂复由双冠醚、四氢呋喃、PVC粉和邻苯二甲酸二丁酯制成的敏感膜,MOS管与铂丝接口处用硅橡胶密封成传感器的探头。
公开号  85205673
公开日  1988-02-10
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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