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湿法腐蚀装置
无权-届满

申请号:85203849 申请日:1985-09-17
摘要:一种湿法化学腐蚀装置,用以腐蚀介质薄膜,特别适用于半导体器件生产工艺中Si3N4介质膜的湿法腐蚀,可耐200℃高温.$在腐蚀容器[2]上的盖子[1]内侧布满回形冷却管[3],当腐蚀液加热时,管子接通冷却水,这样因受热产生的腐蚀液蒸汽在管子上遇冷而凝聚下来,滴回腐蚀液中,从而能很好地保持腐蚀液的组分,不改变腐蚀速率,保证腐蚀质量.
申请人: 航天工业部七七一研究所
地址: 陕西省临潼县19号信箱
发明(设计)人: 刘振芳 蔡福兴
主分类号: H01L21/02
分类号: H01L21/02 H01L21/306 H01L21/456
  • 法律状态
1986-12-03  授权
1986-05-21  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种由腐蚀容器〔2〕、容器盖〔1〕构成的湿法腐蚀装置。本 实用新型的特征在于容器盖子内侧有冷却管〔3〕,粘结或烧结在容器 盖子上,冷却管的两头通过盖子的两个相对或相邻的侧壁和外面的冷却 水相通。容器内装有可供测温的装置〔4〕,冷却管进、出口和盖子的 交接处应没有缝隙,盖子和容器的接合面〔a〕应严密吻合。
公开号  85203849
公开日  1986-05-21
专利代理机构  航天工业部专利事务所
代理人  管洁 容敦璋
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期