搜索 分析 新世界 花园 法规 考试 交易 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

半导体基片
无权-届满

申请号:85201474 申请日:1985-05-20
摘要:本实用新型开创了具有如下特征的半导体基片:它是在具有(100)面的单晶硅基片上偏离(011)面的角度小于90°的位置上形成定向面.
申请人: 夏普公司
地址: 日本大阪市阿倍野区长池町22-22
发明(设计)人: 浅井正人
主分类号: H01L12/302
分类号: H01L12/302 H01L29/04
  • 法律状态
1993-10-13  
1990-08-15  
1986-09-10  授权
1986-02-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.半导体基片其特征为在具有(100)面的单晶硅基片上偏离 (011)面的角度小于90°的位置上形成定向面。
公开号  85201474
公开日  1986-02-26
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  肖春京张卫民
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期