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半导体钙离子传感器
无权-届满

申请号:85201229 申请日:1985-04-01
摘要:半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头,它是由Mos管,敏感膜、电极杆组装成.由Mos管栅极引出一根铂丝,在其表面涂复一层敏感膜,此膜用二(2--辛基苯基磷酸)钙组成,Mos管引出的探头接口处用硅橡胶密封.此电极测试性能稳定,灵敏度高,能专一的检测待测液中钙离子的活度.
申请人: 南京大学
地址: 江苏省南京市南京大学科研处
发明(设计)人: 付庭治 黄德培 朱春生
主分类号: G01N27/30
分类号: G01N27/30
  • 法律状态
1986-08-27  授权
1986-02-12  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、半导体钙离子传感器是一种电化学分析仪器的微型探头,它是由MOS管,敏感膜、电极杆组装成。本发明的技术特点是敏感膜由二(2-辛基苯基磷酸)钙,四氢呋喃、PVC粉和邻苯二甲酸二丁酯制成。在MOS管栅极上引出铂丝,先将铂丝表面用乙醇和乙醚处理,然后在铂丝表面涂复敏感膜。MOS管与铂丝接口处用硅橡胶密封成为探头。
公开号  85201229
公开日  1986-02-12
专利代理机构  
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颁证日  
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国际公布  
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