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真空远红外充氮亚胺化装置
无权-届满

申请号:85200146 申请日:1985-04-01
摘要:本实用新型属于半导体器件和集成电路表面有机钝化用新设备。其特征在于选用了波长为2—15μm范围的远红外线辐射源,并用真空减压、连续充氮气的方法,使得整个恒温亚胺化过程,始终产生断续变化的远红外线辐照,达到阶梯升温、恒温、迅速排除反应生成聚缩水的要求,同时也有效地防止了硅片上铝层的氧化。本装置除在半导体器件及集成电路中作钝化层和内涂层的加工外,还能用于多层布线介质层的加工和其它需要制取高质量聚酰亚胺膜的地方。
申请人: 南京工学院
地址: 江苏省南京市四牌楼2号
发明(设计)人: 廖萃荃
主分类号: H01L21/312
分类号: H01L21/312 H01L21/47
  • 法律状态
1986-07-30  授权
1986-01-15  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种真空远红外线充氮亚胺化装置由真空远红外炉 〔17〕,程序加热温度补偿控制仪〔18〕,半导体精密控温仪 〔16〕、机械真空泵〔19〕构成,其特征在于所述的远红外炉采 用两块对置的远红外辐射板〔2〕和氮气喷嘴管〔14〕。
公开号  85200146
公开日  1986-01-15
专利代理机构  南京工学院专利事务所
代理人  姚建楠
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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