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电子器件及其制造方法
无权-未缴年费

申请号:85109696 申请日:1985-12-25
摘要:在透光的绝缘衬底上形成一层制有图形的不透 光的导电层或半导体层部分,再用一个绝缘层围住 上述层部分,使绝缘层的厚度与导电层或半导体层 部分的厚度相同,但不要使绝缘层覆盖住上述层部 分。形成绝缘层的方法如下:在有导电层或半导体层 部分的整个衬底上形成一层光敏有机树脂。在此例 中,使有机树脂漫延到层部分上面,然后,从衬底那 一侧对有机树脂层曝光,并进行显影和热处理等工 艺,最后形成上述绝缘层。
申请人: 株式会社半导体能源研究所
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 间濑晃 小沼利光 坂间光范 犬岛乔 山崎舜平
主分类号: H01L23/52
分类号: H01L23/52 H01L29/86 H01L21/64 H01L21/31 H01L21/02
  • 法律状态
1999-02-17  
1990-08-15  授权
1989-11-29  审定
1986-09-24  
1986-07-16  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种电子器件包括: 一个带绝缘表面的衬底; 在衬底上形成一个层部分,并有制成图形的导电层或半导电层; 其中在衬底上形成一层绝缘层围绕上述层部分,并与该层部分的侧面接触,但不漫延到该层部分的顶部表面。
公开号  85109696A
公开日  1986-07-16
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  刘晖
颁证日  
优先权  1984.12.26 JP 277412/84
国际申请  
国际公布  
进入国家日期