搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

杂质的扩散方法
无权-视为撤回

申请号:85109319 申请日:1985-11-26
摘要:用于将诸如锌一类的杂质选择扩散进到诸如砷化镓(GaAs)一类的化合物半导体基片的方法。该方法是这样使用扩散掩模的:即,使在扩散掩模和半导体基片之间的界面处的含氧层的厚度小于20∴,从而可以抑制往往发生在半导体表面上扩散掩模开口附近界面异常的横向扩散,因此增加了杂质扩散图形的精度。
申请人: 索尼公司
地址: 日本东京品川区北品川6丁目7番35号
发明(设计)人: 和田胜 加藤洋二
主分类号: H01L21/22
分类号: H01L21/22 H01L21/38
  • 法律状态
1988-06-15  
1986-09-10  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种将杂质选择扩散进到化合物半导体表面的方法,其特征包括: 在化合物半导体基片上这样施加一层扩散掩模;即,使在所说的掩模和基片之间的界面处的含氧层小于20 , 将杂质通过所说的掩模扩散进到所说的基片。
公开号  85109319
公开日  1986-09-10
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  肖春京
颁证日  
优先权  1984.11.27 JP 248795/84
国际申请  
国际公布  
进入国家日期