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高温正温度系数热敏电阻半导体陶瓷材料的制造方法
无权-未缴年费

申请号:85108454 申请日:1985-11-23
摘要:一种居里温度大于310℃的正温度系数热敏电阻半导体致密陶瓷材料,采用快速烧结技术,可有效地防止Pb挥发,控制晶粒长大,材料的室温电阻率可小于103欧姆·厘米,电阻率比值可达到4个数量级。
申请人: 华中工学院
地址: 湖北省武汉市
发明(设计)人: 刘梅冬 贾连娣 赖希伟 张绪礼 陈志雄 周方桥 莫以豪
主分类号: H01C7/02
分类号: H01C7/02 C04B35/46
  • 法律状态
1991-05-22  
1988-03-16  授权
1987-08-26  审定
1987-06-03  公开
1986-09-03  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种钛酸钡铅系、高温正温度系数热敏半导体陶瓷材料的烧结工艺:在大气气氛中烧结,烧结温度为1270~1350℃,烧结时间为2~20分,其特征是,升温速率为100~600℃/分,降温速率为10~100℃/分。
公开号  85108454
公开日  1987-08-26
专利代理机构  华中工学院专利事务所
代理人  陈志凌 郑友德
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期