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半导体辐射检测器
无权-未缴年费

申请号:85106296 申请日:1985-06-26
摘要:半导体辐射检测器,其辐射检测元件由可在室 温下工作的化合物半导体制成。该元件的输出加到 包括一准高斯滤波器的脉冲形成放大器。该滤波器 包括微分器和积分的组合;通过对微分器引起的信 号脉冲高度和形成放大器输出的脉冲高度进行比 较,获得每次辐射时有关电荷收集时间的信息,根据 上述信息对形成放大器的输出进行校正,进而改善 电荷收集不完全导致的能量分辨率衰变。还提供一 种采用上述元件的半导体位置敏感辐射检测器。
申请人: 株式会社岛津制作所
地址: 日本东京都中京区河********(隐藏)
发明(设计)人: 熊泽良彦
主分类号: G01T1/24
分类号: G01T1/24
  • 法律状态
1999-08-18  
1993-05-05  授权
1992-07-22  审定
1988-09-28  
1986-12-24  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、半导体辐射检测器包括: (a)由化合物半导体制成的辐射检测元件,它可在室温下工作,响应每次辐射产生一个相应的电流信号; (b)将上述电流信号放大以产生一个相应的电压信号的前置放大器; (c)将上述来自所说前置放大装置的信号形成和放大的装置,它包括一个准高斯滤波器,该滤波器包括有一个第一微分器和一个积分器的组合体; (d)在每次辐射时获得有关电荷收集时间信息的装置,该装置将上述第一微分器的输出引起的信号的脉冲高度与上述形成和放大装置的输出脉冲高度进行比较来获得上述信息; (e)校正装置,该装置按照每次辐射有关电荷收集的信息对上述形成和放大装置输出信号的脉冲高度进行校正,以改善由于电荷收集不完全引起的能量分辨率衰变。
公开号  85106296A
公开日  1986-12-24
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  杨晓光
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 附加信息
同族专利
CN1017562B
 
引用文献
 
被引用文献
US9588236B2CN102576087ACN104620131A
CN105143918ACN108008438A