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半导体压力传感器
无权-视为撤回

SEMICONDUCTOR PRESSURE SENSOR

申请号:85105726 申请日:1985-07-27
摘要:一个半导体应变计放置在外壳体的凹槽腔室 中。在凹槽腔室内有一个台阶,在台阶的内壁周围部 位上有微细的沟槽。在具有传递压力孔的金属盘外 部周围,使用塑料流体封装的方法,将金属盘夹到微 细的沟槽上。在台阶的平面部位放上密封薄膜之后, 从而将密封薄膜紧紧地封住凹槽腔室。
Abstract: A semiconductor strainometer is located in a concave chamber in which is a step. Several thin grooves are in the inner wall of the step. Around a metal disk with a pressure transmission hole, some plastic fluid seals are used. The metal disk is clipped in the grooves. A seal diaphragm is put on the step, the diaphragm tightly seals the concave chamber.
申请人: 株式会社日立制作所
Applicant:
地址: 日本东京都千代田区********(隐藏)
发明(设计)人: 武田次郎 市川范男 鹤冈一广
Inventor:
主分类号: G01C9/04
分类号: G01C9/04
  • 法律状态
1990-10-17  
1987-03-04  公开
1985-12-20  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种半导体压力传感器有一个外壳体,其中具有一个用来封装半导体应变计的腔室,一个密封薄膜紧紧地密闭住上述腔室,用密封油充入上述密封薄膜和上述腔室中间的空间里,其特征在于:具有一个压力传递孔的面板外围上,用塑料流体材料在腔室的外围部位将上述密封膜紧紧地密封在上述腔室上。
公开号  85105726A
公开日  1987-03-04
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利代理部
代理人  刘晖
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  85105726  19850727 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
 
引用文献
 
被引用文献