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带动态控制的电荷耦合半导体器件
无权-未缴年费

申请号:85104640 申请日:1985-06-15
摘要:利用电极在钟信号和基准信号之间单独切换的 方法,在CCD,尤其在图象敏感器件中,信息密度能 加倍。钟信号和基准信号作为受多相钟控制的移位 寄存器的输出信号,它是(例如)用C-MOS技术实 现的。根据寄存器钟的钟脉冲信号,在移位寄存器的 第一级输入端上的信息通过或通不过之后,它决定 移位寄存器的下一级的输出信号,因而决定连接到 级输出的申极上电压的变化。
申请人: 菲利浦光灯制造公司
地址: 荷兰艾恩德霍芬
发明(设计)人: 布德威赞斯 埃斯尔
主分类号: H01L29/76
分类号: H01L29/76 H01L27/00 G11C19/28 G11C27/04
  • 法律状态
1992-10-28  
1989-10-25  授权
1989-02-15  审定
1987-05-20  
1986-12-24  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、电荷耦合半导体器件包含一半导体,在其主表面上规定至少一条电荷迁移沟道,并在同一主表面上备有电极系统。在电极上可供给为电荷贮存的调节信号和为电荷迁移的钟信号,此器件的特征是,半导体器件至少包含一个移位寄存器,能受单项或多相钟的控制,并有若干級,还包含以电气导通方式单独连接到移位寄存器各級的电极。
公开号  85104640A
公开日  1986-12-24
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  李先春
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 附加信息
同族专利
CN1003335B
 
引用文献
 
被引用文献