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制造高灵敏度光敏三极管的方法
无权-视为撤回

申请号:85103782 申请日:1985-05-09
摘要:一种利用高电阻率N型硅单晶制造高灵敏度光敏三极管的方法.对原有的工艺流程和工艺条件做了改进,消除了原有工艺制出的光敏三极管存在的一种在光照下电流电压关系出现负阻区域,随后电流激剧增大的开通现象.从而,可以制出高灵敏度大电流的光敏三极管,提高制管成品率,提高使用可靠性,比用外延片制造高灵敏度光敏三级管,成本低对近红外光(例如波长为0.9微米的光)的分光灵敏度高.本方法适用于电阻率5欧姆.厘米以上的N型硅单晶.
申请人: 武汉大学
地址: 湖北省武汉市武昌珞珈山
发明(设计)人: 张君和
主分类号: H01L31/18
分类号: H01L31/18 H01L21/04 H01L31/10
  • 法律状态
1989-04-26  
1987-07-22  
1986-11-12  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种制造高灵敏度光敏三极管的方法,它的工艺流程包括,第一步,氧化,第二步,光刻出待扩硼的区域,第三步,扩硼及氧化,本发明的特征在于,第四步,背面磨片,第五步,背面扩磷,厚度在3微米以上,第六步,光刻出待正面扩磷的区域,第七步,正面扩磷及氧化,第八步,光刻出电极引出窗口,第九步,正面蒸铝,第十步,光刻出铝电极,第十一步,背面蒸金,第十二步,合金化,温度范围为480℃至550℃,第十三步,用银浆烧结管芯到底座上,烧结温度400℃,第十四步,超声压焊引线,第十五步,封帽。
公开号  85103782
公开日  1986-11-12
专利代理机构  武汉大学专利事务所
代理人  龚茂铭
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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