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半导体装置的导线材料
无权-届满

申请号:85103501 申请日:1985-05-03
摘要:一种用于半导体装置的导线材料,组成的物质按重量计包括:Ni0.4至4.0%、Si0.1至1.0%、Zn0.05%至1.0%、Mn0.01至1.0%、Mg0.001至0.01%以下、Cr0.001至0.01%以下、S最多高达0.003%、余下的是Cu和不可避免的杂质.此外,这导线材料还可含有高达5ppm的氧及高达5ppm的氢.
申请人: 株式会社神户制钢所
地址: 日本兵库县神户市中央区胁浜町1丁目3-18
发明(设计)人: 官藤元久 松井隆 原田英和
主分类号: H01L23/54
分类号: H01L23/54 H01L23/48 H01B1/02
  • 法律状态
2000-12-27  
1989-09-27  授权
1989-01-11  审定
1988-03-30  
1986-11-12  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种用于半导体装置的导线材料,其特征是组成的物质按重量计包括Ni0.4至4.0%、Si0.1至1.0%、Zn0.05至1.0%、Mn0.01至1.0%、Mg0.001至0.01%以下,Cr0.001至0.01%以下,S最多可达0.003%,余下的是Cu和不可避免的杂质。
公开号  85103501
公开日  1986-11-12
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  罗宏 刘元金
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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