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光电池
无权-届满

申请号:85103355 申请日:1985-05-13
摘要:采用本发明的光电池备有透光性的基板,其基板上有透光性的第1电极层,其第1电极上有P型的第1半导体层.第1半导体层上有厚度约25-300A可生成空穴的0.3ev以下的活化能源.该光电池还备有在第1半导体层上P型的第2半导体层,它有厚度约100-1000A可生成空穴的0.3ev以上的活化能源.此外,该电池上还有第2半导体层上的Ⅰ型第3半导体层、第3半导体层上N型的第4半导体层和第4半导体层上的第2电极层.
申请人: 三洋电机株式会社
地址: 日本大阪
发明(设计)人: 深津猛夫 武内胜 后藤一幸
主分类号: H01L31/04
分类号: H01L31/04 H01L21/203 H01L21/263
  • 法律状态
2001-01-03  
1989-11-08  授权
1989-01-25  审定
1988-05-04  
1986-11-12  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、光电池,前述电池包括: 透光性的基板、 前述基板上的透光性的第1电极层、 备有前述第1电极层上的第1导电型的第1半导体层、前述第1半导体层上有厚约25-300 和可生成大量载流子的0.3ev以下的活化能源。 前述电池还备有前述第1半导体层上的该导电型的第2半导体层,前述第2半导体层上有厚约100-1000 的可生成大量载流子的0.3ev以上的活化能源、 该电池还包括前述第2的半导体层上的第2导电型的第3半导体层、 前述第3半导体层上第3导电型的第4半导体层、 前述第4的半导体层上的第2的电极层。
公开号  85103355
公开日  1986-11-12
专利代理机构  中国专利代理有限公司
代理人  李先春
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期