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一种双层结构的低压化学蒸汽淀积外延炉管装置
无权-视为撤回

申请号:85100531 申请日:1985-04-01
摘要:本发明属于电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备.在外延工艺中,由于石英管与硅或其它外延物质的热膨胀系数不同,在高温、低压下容易造成外延石英炉管的损裂.本发明采用双层结构炉管,即外管用耐高温且密封性能良好的材料,内管用耐高温且对半导体外延片的性能不产生严重影响的材料做成.可将LPCVD薄膜技术应用到外延中来,可以达到提高外延的生产效率,降低生产成本,改善外延层的厚度与掺杂均匀性.
申请人: 复旦大学
地址: 上海市邯郸路220号
发明(设计)人: 王季陶 张世理
主分类号: H01L21/205
分类号: H01L21/205 H01L21/365
  • 法律状态
1988-10-19  
1986-08-20  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、电子工业中制备集成电路及其它半导体器件的薄膜工艺设备,一种用于低压化学蒸气淀积(LPCVD)外延的炉管装置,其特征在于:上述炉管为由外层炉管[1]和内层衬管[2]组成的双层结构。
公开号  85100531
公开日  1986-08-20
专利代理机构  复旦大学专利事务所
代理人  庄杏风
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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