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气载掺杂剂掺杂非晶硅方法
无权-未缴年费

申请号:85100512 申请日:1985-04-01
摘要:本发明属于非晶硅的掺杂方法,现有的用于非晶 硅掺杂的气体掺杂剂仅为磷烷、硼烷、砷烷三种,不 仅种类少而且毒性极大,纯化困难,制备出的材料缺 陷态高,本发明提供的一种气载掺杂剂掺杂非晶硅 方法,是用周期表中Ⅲ-Ⅴ族元素的单质或化合物为 掺杂剂,以净化过的氢气或氦气或氩气为载体流过 经加热汽化掺杂剂与SiH4混合,在反应室内反应而 生成掺杂非晶硅,具有毒性小,掺杂材料缺陷态密度 低,光电导增加等优点。
申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
地址: 上海市长宁路865号
发明(设计)人: 吴宗炎 沈月华
主分类号: H01L21/205
分类号: H01L21/205
  • 法律状态
1993-07-28  
1990-12-26  授权
1990-04-11  审定
1988-08-31  
1986-08-13  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种掺杂非晶硅方法,包括掺杂剂与硅烷混合,在反应室内高频辉光放电或CVD溅射或蒸发等过程,其特征在于用周期表中Ⅲ、Ⅳ、Ⅴ族元素的单质或化合物为掺杂剂,放在石英瓶中加热到汽化温度,用净化过气体为载体与SiH4反应而生成掺杂非晶硅。
公开号  85100512A
公开日  1986-08-13
专利代理机构  中国科学院上海专利事务所
代理人  潘振甦
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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