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制备半导体化合物薄膜的射频溅射法
无权-届满

申请号:85100504 申请日:1985-04-01
摘要:本发明是一种制备高蒸气压组分的Ⅲ-Ⅴ族半 导体化合物薄膜的射频溅射方法。为使溅射膜有较 好化学计量比,本发明采用合成Ⅲ-Ⅴ族化合物块锭 或碎料和相应的高蒸气压五族元素材料一起作为溅 射靶并置于溅射室下方。本发明方法可在不同的衬 底温度下,得到单晶,多晶或非晶的Ⅲ-Ⅴ族半导体 化合物薄膜。
申请人: 中国科学院上海冶金研究所
地址: 上海市长宁路865号
发明(设计)人: 黎锡强
主分类号: H01L21/203
分类号: H01L21/203
  • 法律状态
1992-02-12  授权
1991-06-05  审定
1989-04-12  
1987-06-10  
1986-08-13  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种制备有高蒸汽压组分的Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物薄膜的射频溅射方法,其特征是使用所要制造的半导体化合物碎料或大块锭和少量高蒸气压组分的五族元素材料一起作为溅射靶。
公开号  85100504A
公开日  1986-08-13
专利代理机构  中国科学院上海专利事务所
代理人  季良赳
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期