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半导体发光器件的反射腔及其工艺
无权-视为撤回

REFLECTIVE CAVITY OF SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND ITS TECHNOLOGY

申请号:85100503 申请日:1985-04-01
摘要:本发明是半导体发光器件的反射腔及其工艺,属 于半导体光电器件,特别是半导体发光器件的领域, 它是利用单晶硅的各向异性腐蚀特性在单晶硅的 (100)晶面上形成各种立方或长方锥形反射腔,再镀 上一层金属(如Au,Ag或Al等)作为金属镜面,从而 可制得各种LED指示灯,数码管,5×7字符显示或 LED列阵等。本发明的反射腔工艺与通常的半导体 器件工艺相容,用这种反射腔制得的LED器件,可使 输出光强增加,提高发光效率。
Abstract: The Monocrystalline silicon has the characteristic of anisotropic corrosion. Making use of this property, various kinds of cuboidal and rectangular cone reflective cavities are formed on the (100) plane of monocrystalline silicon. Followed by coating a layer of metal (for example, Au, Ag, Al etc.) as the mirror, a variety of LED indication lamps, numeral lights, character displays of 5X7 dot matrix and LED arrays tec. can be manufactured. This invention of cavity-making technology is consistent with that of general semiconductor devices. Using the LED devices manufactured with this cavity, the light output is increased and the emitting efficiency is enhanced.
申请人: 中国科学院上海冶金研究所
Applicant:
地址: 上海市长宁路865********(隐藏)
发明(设计)人: 孙体忠
Inventor:
主分类号: H01L33/00
分类号: H01L33/00
  • 法律状态
1987-09-09  
1986-09-17  公开
1986-04-10  
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1、一种半导体发光器件的反射腔的制作工艺,其特征是在硅单晶片上生长腐蚀保护层后经光刻、腐蚀,镀上反光层而形成的。
公开号  85100503A
公开日  1986-09-17
专利代理机构  中国科学院上海专利事务所
代理人  季良赳
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  85100503  19850401 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
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R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
 
引用文献
 
被引用文献
US7525124B2CN103574360ATWI474381B