中国专利搜索 世界专利搜索 专利分类查询 专利引用检索 专利族检索
高级用户登录 | 普通用户登录 | |

一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用
有权
阅读授权文献

Preparation method and application of array structure silicon-based dot matrix

申请号:201911148319.8 申请日:2019-11-21
CN201911148319
CN111017868A
微信扫码查看/分享专利
摘要:本发明公开了一种阵列结构硅基点阵的制备方法及其应用,所述制备方法包括:在一硅片表面旋涂光刻胶;采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的点样区;采用溶液法在含点样区的所述硅片表面自组装微纳米球;对沉积了微纳米球的所述硅片进行刻蚀,使所述点样区形成微纳米结构阵列;去除所述硅片表面的所述光刻胶;且去除所述硅片表面的所述微纳米球。本发明阵列结构硅基点阵的制备方法所制得的硅基点阵在质谱检测、拉曼检测、生物传感器或者光电探测器中的应用。本发明的硅基点阵在物理、化学、能源、催化、生命科学及信息等领域具有潜在的应用前景。
Abstract: The invention discloses a preparation method and application of an array structure silicon-based dot matrix. The preparation method comprises the steps of spin-coating photoresist on the surface of asilicon wafer; forming a sample application region with a specific size on the surface of the silicon wafer by adopting a photoetching method; self-assembling micro-nano spheres on the surface of thesilicon wafer containing the sample application region by adopting a solution method; etching the silicon wafer on which the micro-nano spheres are deposited, so that a micro-nano structure array is formed in the sample application region; removing the photoresist on the surface of the silicon wafer; and removing the micro-nano spheres on the surface of the silicon wafer. The silicon-based dot matrix prepared by the preparation method of the silicon-based dot matrix with the array structure is applied to mass spectrum detection, Raman detection, biosensors or photoelectric detectors. The silicon-based dot matrix has potential application prospects in the fields of physics, chemistry, energy, catalysis, life science, information and the like.
申请人: 厦门大学
Applicant: UNIV XIAMEN
地址: 361000 福建省厦门市思明南********(隐藏)
发明(设计)人: 李静 钟昌祥 尹君 林水潮 郑南峰
Inventor: LI JING; ZHONG CHANGXIANG; YIN JUN; LIN SHUICHAO; ZHENG NANFENG
主分类号: B81B7/04
分类号: B81B7/04 B81C1/00
  • 法律状态
2023-08-22  授权
2020-05-12  实质审查的生效IPC(主分类):B81B 7/04申请日:20191121
2020-04-17  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种阵列结构硅基点阵的制备方法,其特征在于,所述制备方法包括:/n在一硅片表面旋涂光刻胶;/n采用光刻方法在所述硅片表面形成特定尺寸的点样区;/n采用溶液法在含点样区的所述硅片表面自组装微纳米球;/n对沉积了微纳米球的所述硅片进行刻蚀,使所述点样区形成微纳米结构阵列;/n去除所述硅片表面的所述光刻胶;且去除所述硅片表面的所述微纳米球。/n
公开号  111017868A
公开日  2020-04-17
专利代理机构  32256 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙)
代理人  王茹
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201911148319  20191121 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN101275073A  20081001  1-12  全文 
SEA  CN103213933A  20130724  1-12  说明书第29-35段,附图1-2 
SEA  CN103257178A  20130821  1-12  说明书第16-31段,附图1-7 
SEA  CN106315505A  20170111  1-12  全文 
SEA  US2017152595A1  20170601  1-12  全文 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数

关于 - 联系我们 - 免责声明
Copyright © 2003 - 2022 SooPAT Inc. All rights reserved.