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一种高击穿场强和储能密度二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料及制备方法
审中-实审

申请号:201710597513.9 申请日:2017-07-20
摘要:本发明公开了一种高击穿场强和储能密度二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料及制备方法,该陶瓷材料由CdCu3Ti4O12‑x wt%SiO2表示的材料组成,其中x的取值为1.0~4.0,其是以Cd(NO3)2·4H2O、Cu(NO3)2·3H2O、Ti(C4H9O)4为原料,冰醋酸为螯合剂,先采用溶胶‑凝胶法制备前驱粉体,并将前驱粉体在较低温度下煅烧,得到能在分子水平上混合且均匀性较好、活性高的CdCu3Ti4O12陶瓷粉体,然后向陶瓷粉体中加入二氧化硅粉,经球磨、造粒、压片、排胶、烧结制备而成。本发明陶瓷材料的制备方法简单、反应温度较低、重复性好、成品率高,且陶瓷材料的介电性能优良,其击穿场强可高达895~2352V/cm、储能密度0.712~1.77mJ/cm3,具有广泛的应用前景。
申请人: 陕西师范大学
地址: 710062 陕西省西安市长安南********(隐藏)
发明(设计)人: 晁小练 彭战辉 杨祖培 梁朋飞
主分类号: C04B35/462(2006.01)I
分类号: C04B35/462(2006.01)I C04B35/622(2006.01)I H01G4/12(2006.01)I
  • 法律状态
2017-10-24  实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 35/462申请日:20170720
2017-09-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种高击穿场强和储能密度二氧化硅掺杂钛酸铜镉巨介电陶瓷材料,其特征在于: 该陶瓷材料由CdCu3Ti4O12-x wt%SiO2表示的材料组成,其中x的取值为1.0~4.0。
公开号  107188559A
公开日  2017-09-22
专利代理机构  西安永生专利代理有限责任公司 61201
代理人  高雪霞
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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