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一种利用陶瓷渣和单晶硅磨抛废料制备一体墙材的方法
审中-实审

Method for preparing integrated wall material by using ceramic residue and monocrystal silicon abrasive polishing waste

申请号:201710440983.4 申请日:2017-06-12
摘要:本发明提供一种利用陶瓷渣和单晶硅磨抛废料制备一体墙材的方法,属于固体废弃物综合利用技术领域。该方法利用陶瓷渣和单晶硅磨抛废料自有的化学组成的特点,通过添加不同的添加剂,利用高温烧结和化学发泡的方法得到一种高性能的一体墙材。本发明工艺流程短,设备简单,可充分利用陶瓷渣和单晶硅磨抛废料的自身化学组成和不能直接循环利用缺点,得到的产品性能好,无环境污染。
Abstract: The present invention provides a method for preparing an integrated wall material by using ceramic residue and monocrystal silicon abrasive polishing waste, and belongs to the technical field of solid waste comprehensive utilization. According to the method, the chemical composition characteristics of ceramic residue and monocrystal silicon abrasive polishing waste are used, different additives are added, and high temperature sintering and chemical foaming are performed to obtain the high-performance integrated wall material. According to the present invention, the process is short, the equipment is simple, the self-chemical compositions and the incapable direct recycling of ceramic residue and monocrystal silicon abrasive polishing waste are completely utilized, and the obtained product has characteristics of good performance and no environmental pollution.
申请人: 北京科技大学
Applicant: UNIV BEIJING SCIENCE & TECH
地址: 100083 北京市海淀区学院路********(隐藏)
发明(设计)人: 冀如 曲世琳 王昊
Inventor: JI RU; QU SHILIN; WANG HAO
主分类号: C04B33/132(2006.01)I
分类号: C04B33/132(2006.01)I C04B33/13(2006.01)I C04B38/02(2006.01)I
  • 法律状态
2017-10-24  实质审查的生效 IPC(主分类):C04B 33/132申请日:20170612
2017-09-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种利用陶瓷渣和单晶硅磨抛废料制备一体墙材的方法,其特征在于:该方法以陶 瓷渣制备保温层,以陶瓷渣和单晶硅磨抛废料的混合原料制备基体层,将保温层和基体层 采用高温共烧的方法制得一体墙材,其中,保温层通过向陶瓷渣中加入添加剂和发泡剂制 成,基体层通过混合陶瓷渣、单晶硅磨抛废料和添加剂烧结制成。
公开号  107188534A
公开日  2017-09-22
专利代理机构  北京市广友专利事务所有限责任公司 11237
代理人  张仲波
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201710440983  20170612 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN101424116A  20090506  1-6  说明书第4页第6段以及第5页第1、4段 
SEA  CN101671160A  20100317  1-6  说明书第3页最后一段、第4页第1-2段、第5页第3-4段 
SEA  CN102643094A  20120822  1-6  说明书第3、4、7段 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
 
引用文献
CN101424116ACN101671160ACN102643094A
 
被引用文献