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半导体存储器件及其制造方法
审中-实审

申请号:201710154182.1 申请日:2017-03-15
摘要:公开了一种半导体存储器件及其制造方法。第一导电线在基板上在第一方向上延伸并具有交替地形成在其上的多个突起和凹陷。第二导电线在第二方向上布置在第一导电线之上,使得第一导电线和第二导电线在突起处交叉。多个存储单元结构位于第一导电线的突起上并与第二导电线接触。热绝缘插塞位于第一导电线的凹陷上并减少在第一方向上的一对相邻的单元结构之间的热传递。因此,沿着导电线的相邻的单元结构之间的热串扰被减少。
申请人: 三星电子株式会社
地址: 韩国京畿道
发明(设计)人: 朴日穆 姜大焕 高宽协
主分类号: H01L27/24(2006.01)I
分类号: H01L27/24(2006.01)I H01L45/00(2006.01)I
  • 法律状态
2019-03-01  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/24申请日:20170315
2017-09-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体存储器件,包括:
多个第一导电金属线,其在第一方向上延伸并具有多个突起和多个凹陷,使得所述突 起和所述凹陷在所述第一方向上交替地布置;
多个第二导电金属线,其在所述第二方向上设置在所述第一导电金属线之上,使得所 述第一导电金属线和所述第二导电金属线在所述突起处交叉;
多个存储单元结构,其被设置在所述第一导电金属线的所述多个突起上并在第三方向 上延伸以接触所述第二导电金属线;以及
多个热绝缘插塞,其被设置在所述第一导电金属线的所述凹陷中。
公开号  107195656A
公开日  2017-09-22
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  张波
颁证日  
优先权  2016.03.15 KR 10-2016-0030731
国际申请  
国际公布  
进入国家日期