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带有屏蔽结构的晶体管、封装器件及其制造方法
审中-实审

申请号:201710102388.X 申请日:2017-02-24
摘要:晶体管包括具有固有有源器件、第一端和第二端的半导体衬底。该晶体管也包括在该半导体衬底的上表面上的由多层介电材料和导电材料形成的互连结构。该互连结构包括由该导电材料形成的导柱、分接头互连件和屏蔽结构。该导柱电接触该第一端、延伸穿过该介电材料,并且连接到第一流道。该分接头互连件电接触该第二端、延伸穿过该介电材料,并且连接到第二流道。该屏蔽结构从屏蔽流道穿过该介电材料朝向该半导体衬底延伸。该屏蔽结构被安置在该导柱与该分接头互连件之间以限制该分接头互连件与该导柱之间的反馈电容。
申请人: 恩智浦美国有限公司
地址: 美国德克萨斯州
发明(设计)人: 戴蒙·霍尔默斯 大卫·伯丹克斯 帕塔·查克拉伯帝 易卜拉欣·哈利勒 埃尔纳·鲁埃达
主分类号: H01L23/522(2006.01)I
分类号: H01L23/522(2006.01)I H01L23/535(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I
  • 法律状态
2019-04-05  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 23/522申请日:20170224
2017-09-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种晶体管,其特征在于,包括:
具有第一端和第二端的半导体衬底;以及
在所述半导体衬底的上表面上的互连结构,所述互连结构由多层介电材料和导电材料 形成,其中所述互连结构包括:
由所述导电材料形成的导柱,所述导柱与所述第一端电接触,所述导柱延伸穿过所述 介电材料;
由所述导电材料形成的分接头互连件,所述分接头互连件与所述第二端电接触,所述 分接头互连件延伸穿过所述介电材料;以及
由所述导电材料形成的屏蔽结构,所述屏蔽结构穿过所述介电材料朝向所述半导体衬 底延伸,所述屏蔽结构被安置在所述导柱与所述分接头互连件之间。
公开号  107195615A
公开日  2017-09-22
专利代理机构  中科专利商标代理有限责任公司 11021
代理人  倪斌
颁证日  
优先权  2016.03.15 US 15/070,248
国际申请  
国际公布  
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