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清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及介质
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CLEANING METHOD AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, substrate processing apparatus and medium

申请号:201710090562.3 申请日:2017-02-20
摘要:本发明涉及清洁方法、半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。提高进行了形成膜的处理后的处理室内的清洁效率。对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方法,包括:向加热至第一温度的处理室内供给包含氢和氟的气体的工序;使处理室内的温度升温至比第一温度高的第二温度的工序;和向加热至第二温度的处理室内供给包含氟的气体的工序,其中,第一温度设为包含氟的气体不发生活化的温度,第二温度设为包含氟的气体发生活化的温度。
Abstract: The invention relates to a cleaning method, a method of manufacturing a semiconductor device, a substrate processing apparatus and medium. A technique for improving cleaning efficiency after a film forming process is performed is provided. Provided is a method of cleaning a processing chamber after a formation of a film on a substrate, the method including: supplying a gas containing hydrogen and fluorine into the processing chamber heated to a first temperature; elevating an inner temperature of the processing chamber to a second temperature higher than the first temperature; and supplying a gas containing fluorine into the processing chamber heated to the second temperature, wherein the first temperature is a temperature whereat the gas containing fluorine is not activated, and the second temperature is a temperature whereat the gas containing fluorine is activated.
申请人: 株式会社日立国际电气
Applicant: HITACHI INT ELECTRIC INC
地址: 日本东京都
发明(设计)人: 永户雅也 栗林幸永 龟田贤治
Inventor: KOEI KURIBAYASHI; KENJI KAMEDA; MASAYA NAGATO
主分类号: C23C16/44(2006.01)I
分类号: C23C16/44(2006.01)I H01L21/67(2006.01)I
  • 法律状态
2019-08-30  授权
2018-12-21  专利申请权的转移IPC(主分类):C23C 16/44登记生效日:20181203变更事项:申请人变更前权利人:株式会社日立国际电气变更后权利人:株式会社国际电气变更事项:地址变更前权利人:日本东京都变更后权利人:日本东京都
2017-10-24  实质审查的生效 IPC(主分类):C23C 16/44申请日:20170220
2017-09-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种清洁方法,其为对进行了在衬底上形成膜的处理后的处理室内进行清洁的方 法,包括:
向加热至第一温度的所述处理室内供给包含氢和氟的气体的工序;
使所述处理室内的温度升温至比所述第一温度高的第二温度的工序;和
向加热至所述第二温度的所述处理室内供给包含氟的气体的工序,
其中,所述第一温度设为所述包含氟的气体不发生活化的温度,所述第二温度设为所 述包含氟的气体发生活化的温度。
公开号  107190248A
公开日  2017-09-22
专利代理机构  北京市金杜律师事务所 11256
代理人  杨宏军 李文屿
颁证日  
优先权  2016.03.14 JP 2016-049531
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  2016-049531  20160314 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  US5609721A  19970311  说明书第3-4栏 
SEA  CN101023515A  20070822  1-18  全文 
SEA  CN101144181A  20080319  1-18  权利要求1-3,8-9,11,20 
SEA  CN101266924A  20080917  1-18  全文 
SEA  CN101814423A  20100825  1-18  全文 
SEA  CN104805414A  20150729  1-18  全文 
SEA  CN105225926A  20160106  1-18  说明书第35段,第41-42段,59段,61-65段,说明书149-153段,159段,第264段,说明书371-376段 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数