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具有集成式浅沟槽隔离结构的CMOS深度图像传感器
审中-实审

申请号:201680008723.3 申请日:2016-02-01
摘要:CMOS图像传感器像素具有集成式浅沟槽隔离结构,通常导致较高的光学灵敏度,并且特别用于长波长(红色、近红外、红外)。浅沟槽隔离结构用作反射和衍射光的光栅,使得在像素的光敏半导体层中观察到经增加的光能(光生成)。通过用掺杂剂钝化浅沟槽隔离结构来避免暗电流的增加,所述掺杂剂被注入光敏半导体层内。标准CMOS工艺中的退火使所述掺杂剂向浅沟槽隔离结构漫射。像素可被配置为飞行时间传感器。浅沟槽隔离结构充当电荷运动的物理屏障,导致更高的调制对比度像素。此外,前侧或背侧照明可被使用。
申请人: 微软技术许可有限责任公司
地址: 美国华盛顿州
发明(设计)人: T·埃尔卡特比 O·C·阿卡亚 S·梅达 C·巴姆吉
主分类号: H01L27/146(2006.01)I
分类号: H01L27/146(2006.01)I
  • 法律状态
2017-10-27  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146申请日:20160201
2017-09-26  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种CMOS图像传感器,包括:
包含外延层的光敏半导体层,所述外延层包括一个或多个光电二极管或光电门以将入 射光转换成电荷;以及
集成式浅沟槽隔离结构,所述集成式浅沟槽隔离结构被配置成通过衍射、偏转或反射 中的至少一个来修改所述光敏半导体层的界面处的所述入射光,以重新分布所述光敏半导 体层内的所述入射光,从而改善像素的光学灵敏度。
公开号  107210313A
公开日  2017-09-26
专利代理机构  上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人  陈斌 胡利鸣
颁证日  
优先权  2015.02.03 US 62/111,515;2015.06.30 US 14/788,235
国际申请  2016-02-01 PCT/US2016/015865
国际公布  2016-08-11 WO2016/126562 EN
进入国家日期  2017.08.03