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掺杂广谱的直接硅片制备设备
有权

Broad -spectrum direct silicon chip that adulteratees preparation equipment

申请号:201621491239.4 申请日:2016-12-30
摘要:本实用新型掺杂广谱的直接硅片制备设备涉及光伏晶体高效节能硅片。其目的是为了提供一种直接硅片降温结晶、掺杂拓展能级的掺杂广谱的直接硅片制备设备。本实用新型掺杂广谱的直接硅片制备设备,包括输送装置和热处理装置,所述输送装置上设有模具盒,所述模具盒在所述输送装置的带动下移动,所述输送装置上配设有隔离保护装置,所述隔离保护装置内设有熔硅装置和掺杂机构,所述模具盒进入所述隔离保护装置依次经过所述掺杂机构和所述熔硅装置,所述熔硅装置上连接有控制装置;所述热处理装置上设有温度检测组件。
Abstract: The utility model discloses broad -spectrum direct silicon chip that adulteratees preparation equipment relates to the energy -efficient silicon chip of photovoltaic crystal. Its purpose is in order to provide a direct silicon chip cooling crystallization, to adulterate and extend the broad -spectrum direct silicon chip that adulteratees preparation equipment of energy level. The utility model discloses broad -spectrum direct silicon chip that adulteratees preparation equipment, including conveyor and heat treatment device, the last mould box that is equipped with of conveyor, the mould box is in conveyor's drive is moved down, the last isolation protection device that has set of conveyor, be equipped with in the isolation protection device and melt silicon device and doping mechanism, the mould box gets into isolation protection device passes through in proper order doping mechanism with melt the silicon device, it is connected with controlling means on the silicon device to melt, the last temperature detecting subassembly that is equipped with of heat treatment device.
申请人: 保定光为绿色能源科技有限公司
Applicant: BAODING LIGHTWAY GREEN ENERGY TECH CO LTD
地址: 074000 河北省保定市高碑店********(隐藏)
发明(设计)人: 于琨 杨传付 王占友 贺美亮 王月勤 张晶晶
Inventor: YU KUN; YANG CHUANFU; WANG ZHANYOU; HE MEILIANG; WANG YUEQIN; ZHANG JINGJING
主分类号: H01L21/67(2006.01)I
分类号: H01L21/67(2006.01)I H01L21/677(2006.01)I H01L21/66(2006.01)I
  • 法律状态
2017-09-22  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种掺杂广谱的直接硅片制备设备,其特征在于:包括输送装置(1)和热处理装置 (6),所述输送装置(1)上设有模具盒(2),所述模具盒(2)在所述输送装置(1)的带动下移 动,所述输送装置(1)上配设有隔离保护装置(3),所述隔离保护装置(3)内设有熔硅装置 (5)和掺杂机构(4),所述模具盒(2)进入所述隔离保护装置(3)依次经过所述掺杂机构(4) 和所述熔硅装置(5),所述熔硅装置(5)上连接有控制装置;所述热处理装置(6)上设有温度 检测组件(7)。
公开号  206516617U
公开日  2017-09-22
专利代理机构  北京中企鸿阳知识产权代理事务所(普通合伙) 11487
代理人  郭鸿雁
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201621491239  20161230 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
 
引用文献
 
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