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半导体存储装置
审中-实审

Semiconductor memory device

申请号:201610756199.X 申请日:2016-08-29
摘要:实施方式提供一种能够提高数据的可靠性的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置(1)具备:第一存储器单元,能够存储2位以上的数据;及字线(WL),连接于第一存储器单元。在第一存储器单元的写入动作中,在写入动作的第一期间,对字线(WL)在施加第一次数的写入电压之后施加验证电压。在继第一期间之后的第二期间,对字线(WL)在施加比第一次数多的第二次数的写入电压之后施加验证电压。
Abstract: According to one embodiment, the semiconductor memory device(1) includes a first memory cell and a word line(WL). The first memory cell is capable of storing two or more bits of data. The word line(WL) is coupled with the first memory cell. a write operation repeat a program loop. The program loop includes a program operation and a verification operation. A program voltage is applied to the word line(WL) in the program operation. The write operation includes a first program loop and a second program loop subsequent to the first program loop. Program voltage is applied a first number of times in the first program loop. Program voltage is applied a second number of times in the second program loop. The second number of times is larger than the first number of times.
申请人: 东芝存储器株式会社
Applicant: TOSHIBA KK
地址: 日本东京
发明(设计)人: 本间充祥
Inventor: HONMA MITSUAKI
主分类号: G11C16/04(2006.01)I
分类号: G11C16/04(2006.01)I
  • 法律状态
2017-10-24  实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 16/04申请日:20160829
2017-09-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体存储装置,其特征在于具备:
第一存储器单元,能够存储2位以上的数据;及
字线,连接于所述第一存储器单元;且
在所述第一存储器单元的写入动作中,
在所述写入动作的第一期间,对所述字线在施加第一次数的写入电压之后施加验证电 压,
在继所述第一期间之后的第二期间,对所述字线在施加比所述第一次数多的第二次数 的写入电压之后施加验证电压。
公开号  107195325A
公开日  2017-09-22
专利代理机构  北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287
代理人  杨林勋
颁证日  
优先权  2016.03.14 JP 2016-049720
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  2016-049720  20160314 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
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R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
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