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一种氧化铟纳米晶及其生长方法
审中-实审

申请号:201610198143.7 申请日:2016-04-01
摘要:本发明实施例公开了一种氧化铟纳米晶及其生长方法,将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上,同时将氧化铟原料置入所述腔室中的坩埚中;加热氧化铟原料,使其溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽,金属铟蒸汽挥发至所述基板处,冷凝形成金属液滴;继续加热所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽,使氧化铟蒸汽挥发至金属液滴处,金属液滴作为纳米晶生长的催化剂,不断溶解氧化铟,至过饱和状态,便会在所述金属液滴内析出氧化铟晶核,最终形成一维或准一维柱状氧化铟纳米晶。本实施所提出的氧化铟纳米晶生长方法,以氧化铟原料中分解形成的铟液滴为催化剂生长纳米晶,容易获得大面积纯度高纳米晶;在生长过程中,只用到氧化铟一种原料,工艺过程简单且安全。
申请人: 齐鲁工业大学
地址: 250353 山东省济南市长清区大学路3501号
发明(设计)人: 沈燕 徐现刚 沈建兴
主分类号: C01G15/00(2006.01)I
分类号: C01G15/00(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):C01G 15/00申请日:20160401
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种氧化铟纳米晶生长方法,其特征在于,包括:将基板置入蒸发炉腔室中的基板架上,所述基板包括硅基板、玻璃基板、氧化铝基板或氧化硅基板;将氧化铟原料置入所述蒸发炉腔室中的坩埚中;向所述蒸发炉的腔室中通入预设体积的惰性保护气体、或对所述腔室抽真空使所述腔室内的真空度到预设值;加热所述氧化铟原料,使所述氧化铟原料溶解、并部分挥发分解为金属铟蒸汽;所述金属铟蒸汽挥发至所述基板处,冷凝形成金属液滴;对所述氧化铟原料继续加热,使所述氧化铟原料挥发出氧化铟蒸汽;所述氧化铟蒸汽挥发至所述金属液滴处,并以所述金属液滴为催化剂和生长基点、饱和析出氧化铟纳米晶核。
公开号  105712394A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  
代理人  
颁证日  
优先权  
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