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一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法
审中-实审

申请号:201610142101.1 申请日:2016-03-14
摘要:本发明属于电子器件技术领域,具体涉及一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器及其制备方法。其结构包括PZT基片、镀在其两面的上下电极和制备于上电极上的铁氧体膜片。PZT基片含有缺陷偶极子,厚度为0.25mm~1mm;下电极厚度10nm~500微米,上电极厚度10?500纳米。铁氧体膜片成分为Ni0.27Zn0.1Fe2.63O4,采用旋转喷涂的方法90℃低温沉积在PZT基片的上电极而成,且其电阻率≥106Ω.cm,厚度为1~10μm。使用时,将噪声干扰抑制器的铁氧体膜片这一面倒扣在微带或共面波导传输线上,PZT基片的上下电极不接触到传输线的电极即可。本发明干扰的抑制效果好,使用方便;节约能源;中心频率连续可调。
申请人: 电子科技大学
地址: 611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号
发明(设计)人: 苏桦 沈洁 张硕 唐晓莉 张怀武 荆玉兰 刘保元
主分类号: H01L27/20(2006.01)I
分类号: H01L27/20(2006.01)I H01L27/22(2006.01)I H01L41/187(2006.01)I H01L43/12(2006.01)I
  • 法律状态
2016-08-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/20申请日:20160314
2016-07-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种非易失性频率可调的噪声干扰抑制器,包括PZT基片、上下电极和铁氧体膜片,上下电极镀在PZT基片的两面,上电极上制备一层铁氧体膜片,其特征在于:所述PZT基片含有缺陷偶极子,是通过对PZT陶瓷基片进行受主掺杂后,在陶瓷内部产生氧空位,氧空位与掺杂离子形成缺陷偶极子,再经过极化和老化处理后得到,厚度为0.25mm~1mm;所述下电极的厚度为10nm~500微米,上电极厚度为10?500纳米。
公开号  105810708A
公开日  2016-07-27
专利代理机构  电子科技大学专利中心 51203
代理人  张杨
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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