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FPGA芯片上电控制方法、电路及FPGA芯片
审中-实审
著录变更

申请号:201610119093.9 申请日:2016-03-02
摘要:本发明公开了一种FPGA芯片上电控制方法、电路及FPGA芯片,设置电压选择器,将该电压选择器的输入端分别与SRAM电源和FPGA芯片内部核心模块电源相连,输出端分别与FPGA芯片的各SRAM相连;在FPGA芯片上电过程中,通过电压选择器从SRAM电源和FPGA芯片内部核心模块电源中选择输出电压大的一个作为各SRAM的清零电平,对各SRAM进行清零操作。本发明通过设置电压选择器,在FPGA芯片上电过程中保证使用较高电平进行清零,而不管该电平是core(内部核心模块)输出的电平还是SRAM输出的电平,可避免在SRAM上电完成之前未对各SRAM完成清零的情况发生,因此清零动作可在很低电源电压的时候就开始进行,因此功耗非常小,使得FPGA芯片上电过程中一直处于低功耗状态。
申请人: 深圳市同创国芯电子有限公司
地址: 518057 广东省深圳市南山区高新科技产业园南区科技南八道豪威科技大厦16层
发明(设计)人: 许聪 林斗勋
主分类号: H03K17/22(2006.01)I
分类号: H03K17/22(2006.01)I
  • 法律状态
2016-08-03  著录事项变更IPC(主分类):H03K 17/22变更事项:申请人变更前:深圳市同创国芯电子有限公司变更后:深圳市紫光同创电子有限公司变更事项:地址变更前:518057 广东省深圳市南山区高新科技产业园南区科技南八道豪威科技大厦16层变更后:518057 广东省深圳市南山区高新科技产业园南区科技南八道豪威科技大厦16层
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H03K 17/22申请日:20160302
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种FPGA芯片上电控制电路,其特征在于,包括:电压选择器,所述电压选择器的输入端分别与SRAM电源和FPGA芯片内部核心模块电源相连,输出端分别与所述FPGA芯片的各SRAM相连;在FPGA芯片上电过程中,所述电压选择器从所述SRAM电源和FPGA芯片内部核心模块电源中选择输出电压大的一个作为所述各SRAM的清零电平。
公开号  105720958A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281
代理人  江婷 李发兵
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期