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抗静电储能电路
审中-实审

申请号:201610029734.1 申请日:2016-01-15
摘要:本发明公开抗静电储能电路,该电路包括电源输入端、接地端、第一MOS管和第二MOS管,所述第一MOS管和第二MOS管分别包括第一电极、第二电极和控制导通\截止的第三电极,所述第一MOS管的第一电极连接电源输入端,所述第一MOS管的第二电极连接所述第二MOS管的第三电极,所述第一MOS管的第三电极连接所述第二MOS管的第二电极,所述第二MOS管的第一电极连接接地端;本发明所述的一种抗静电储能电路是采用一对互补的NMOS管和PMOS管组成的CMOS电路,其中将PMOS管的漏极连接NMOS管的栅极,所述PMOS管的栅极连接NMOS管的漏极,采用此连接方式可以防止在静电释放时击穿集成电路。
申请人: 中山芯达电子科技有限公司
地址: 528400 广东省中山市火炬开发区会展东路16号数码大厦1410号房
发明(设计)人: 方镜清
主分类号: H03K19/094(2006.01)I
分类号: H03K19/094(2006.01)I
  • 法律状态
2016-10-26  实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 19/094申请日:20160115
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种抗静电储能电路,包括电源输入端、接地端、第一MOS管和第二MOS管,其特征在于:所述第一MOS管和第二MOS管分别包括第一电极、第二电极和控制导通\截止的第三电极;所述第一MOS管的第一电极连接电源输入端,所述第一MOS管的第二电极连接所述第二MOS管的第三电极,所述第一MOS管的第三电极连接所述第二MOS管的第二电极,所述第二MOS管的第一电极连接接地端。
公开号  105720968A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286
代理人  邹常友
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期