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电阻式存储器的记忆胞阵列
审中-实审

申请号:201610026947.9 申请日:2016-01-15
摘要:一种电阻式存储器的记忆胞阵列,包括:一第一位线;一第一字线;一第一源极线对;以及一第一记忆胞。第一记忆胞具有一选择端连接至该第一字线、一第一控制端连接至该第一源极线对中的一第一源极线、一第二控制端连接至该第一源极线对中的一第二源极线以及一第三控制端连接至该第一位线。
申请人: 力旺电子股份有限公司
地址: 中国台湾新竹市
发明(设计)人: 许家荣 孙文堂 杨青松 邵启意 罗俊元 蔡裕雄 林庆源
主分类号: H01L27/24(2006.01)I
分类号: H01L27/24(2006.01)I H01L45/00(2006.01)I
  • 法律状态
2016-08-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 27/24申请日:20160115
2016-07-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种记忆胞阵列,包括:一第一位线;一第一字线;一第一源极线对;以及一第一记忆胞,具有一选择端连接至该第一字线、一第一控制端连接至该第一源极线对中的一第一源极线、一第二控制端连接至该第一源极线对中的一第二源极线以及一第三控制端连接至该第一位线;其中,该第一记忆胞包括:一选择晶体管,具有一栅极连接至该第一记忆胞的该选择端、一第一漏/源端连接至该第一记忆胞的该第三控制端以及一第二漏/源端;一第一电阻具有一第一端连接至该第一记忆胞中该选择晶体管的该第二漏/源端,一第二端连接至该第一记忆胞的该第一控制端;以及一第二电阻具有一第一端连接至该第一记忆胞中该选择晶体管的该第二漏/源端,一第二端连接至该第一记忆胞的该第二控制端。
公开号  105810709A
公开日  2016-07-27
专利代理机构  北京市柳沈律师事务所 11105
代理人  王珊珊
颁证日  
优先权  2015.01.21 US 62/105,744
国际申请  
国际公布  
进入国家日期