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双重图形化的方法
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Double patterning method

申请号:201610011927.4 申请日:2016-01-08
摘要:一种双重图形化的方法,包括:在核心层顶部表面和侧壁表面、以及第二区域的基底表面形成侧墙层,且位于第二子区域的基底表面的侧墙层顶部与第一区域的基底表面齐平;在侧墙层表面形成牺牲层,且牺牲层顶部高于核心层顶部或与和核心层顶部齐平;对牺牲层顶部以及侧墙层顶部进行平坦化处理,去除高于核心层顶部的牺牲层以及侧墙层;去除牺牲层和核心层,且第一区域的基底表面与第二子区域的侧墙层顶部齐平;以第一子区域的侧墙层为掩膜,刻蚀去除位于第二子区域的侧墙层以及位于第二子区域的第一厚度的基底,还刻蚀去除位于第一区域的第二厚度的基底,在基底内形成目标图形。本发明减小目标图形两侧的基底表面高度差值,提高形成的目标图形质量。
Abstract: The invention discloses a double patterning method. The double patterning method comprises steps that side wall layers are formed on a top part surface and side wall surfaces of a core layer, and a substrate surface of a second region; the top parts of the side wall layers on the substrate surface of the second sub-region is aligned with a substrate surface of a first region; sacrifice layers are formed on the side wall layer surfaces, and the top parts of the sacrifice layers are higher than the top part of the core layer, or are aligned with the top part of the core layer; the flattening processing of the top parts of the sacrifice layers and the top parts of the side wall layers is carried out, and the sacrifice layers and the side wall layers higher than the top part of the core layer are removed; the sacrifice layers and the core layer are removed, and the substrate surface of the first region is aligned with the top parts of the side wall layers of the second sub-region; by taking the side wall layers of the first sub-region, the side wall layers of the second sub-region and the substrate of the second sub-region having a first thickness are removed after being etched, and the substrate in the first region having a second thickness is removed after being etched, and a target pattern is formed in the substrate. The height difference value between the surfaces of the parts of the substrate on the two sides of the target pattern is reduced, and formed target pattern quality is improved.
申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
Applicant: SEMICONDUCTOR MFG INTERNATIONAL (SHANGHAI) CO LTD; SEMICONDUCTOR MFG INTERNATIONAL (BEIJING) CORPORATION
地址: 201203 上海市浦东新区张江********(隐藏)
发明(设计)人: 张城龙 郑二虎
Inventor: ZHANG CHENGLONG; ZHENG ERHU
主分类号: H01L21/8234(2006.01)
分类号: H01L21/8234(2006.01)
  • 法律状态
2019-09-27  授权
2017-08-11  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20160108
2017-07-18  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  
公开号  106960816A
公开日  2017-07-18
专利代理机构  北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人  高静 吴敏
颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201610011927  20160108 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  CN1914715A  20070214  1-20  全文 
SEA  US2008299494A1  20081204  1-20  全文 
SEA  US2009258501A1  20091015  1-20  全文 
SEA  CN101651115A  20100217  1-20  全文 
SEA  CN104078366A  20141001  1-20  全文 
SEA  CN104900495A  20150909  1-20  全文 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 附加信息
同族专利
CN106960816B
 
引用文献
US2008299494A1US2009258501A1CN101651115A
CN104078366ACN104900495ACN1914715A
 
被引用文献