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半导体器件
审中-实审

Semiconductor device

申请号:201580060567.0 申请日:2015-10-23
摘要:半导体器件包括触发器电路、控制线、第一P型晶体管、第一非易失性存储元件、第二P型晶体管和第一非易失性存储元件。触发器电路具有依次连接有第一反相器电路、包括第一节点第一连接线、第二反相器电路和包括第二节点的第二连接线的环形结构。第一P型晶体管和第一非易失性存储元件在第一节点与控制线之间串联地连接。第二P型晶体管和第一非易失性存储元件在第二节点与控制线之间串联地连接。非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的钉扎层、隧道势垒层和自由层的磁隧道结元件。
Abstract: This semiconductor device is provided with: a flip flop circuit which has an annular structure wherein a first inverter circuit, a first connection line comprising a first node, a second inverter circuit, and a second connection line comprising a second node are sequentially connected; a control line; a first P-type transistor and a first nonvolatile storage element, which are connected in series with each other between the first node and the control line; and a second P-type transistor and a second nonvolatile storage element, which are connected in series with each other between the second node and the control line. Each nonvolatile storage element is a magnetic tunnel junction element which comprises a pinned layer, a tunnel barrier layer and a free layer, said layers being sequentially arranged in this order from a position close to the control line.
申请人: 索尼公司
Applicant: SONY CORP
地址: 日本东京
发明(设计)人: 横山孝司 时任俊作 长谷川宏 山岸肇
Inventor: YOKOYAMA TAKASHI; TOKITO SHUNSAKU; HASEGAWA HIROSHI; YAMAGISHI HAJIME
主分类号: H01L21/8244(2006.01)I
分类号: H01L21/8244(2006.01)I G11C11/15(2006.01)I H01L21/8246(2006.01)I H01L27/105(2006.01)I H01L27/11(2006.01)I H01L29/82(2006.01)I H01L43/08(2006.01)I H01L45/00(2006.01)I H01L49/00(2006.01)I
  • 法律状态
2017-11-28  实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8244申请日:20151023
2017-09-22  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  1.一种半导体器件,其包括:
触发器电路,其具有环形结构,在所述环形结构中依次连接有第一反相器电路、第一连 接线、第二反相器电路和第二连接线,所述第一连接线包括第一节点,所述第二连接线包括 第二节点;
控制线;
第一P型晶体管,其设置在所述第一节点与所述控制线之间;
第一非易失性存储元件,其设置在所述第一节点与所述控制线之间,并与所述第一P型 晶体管串联地连接;
第二P型晶体管,其设置在所述第二节点与所述控制线之间;以及
第二非易失性存储元件,其设置在所述第二节点与所述控制线之间,并与所述第二P型 晶体管串联地连接,其中,
所述第一非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的第一钉 扎层、第一隧道势垒层和第一自由层的第一磁隧道结元件,或者是包括从靠近所述控制线 的位置开始依次布置的第一电极层、第一绝缘层和第一离子层的第一电阻变化元件,且
所述第二非易失性存储元件是包括从靠近所述控制线的位置开始依次布置的第二钉 扎层、第二隧道势垒层和第二自由层的第二磁隧道结元件,或者是包括从靠近所述控制线 的位置开始依次布置的第二电极层、第二绝缘层和第二离子层的第二电阻变化元件。
公开号  107197628A
公开日  2017-09-22
专利代理机构  北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290
代理人  曹正建 陈桂香
颁证日  
优先权  2014.11.20 JP 2014-235309
 
国别 优先权号 优先权日 类型
JP  2014-235309  20141120 
WO  PCT/JP2015/079945  20151023  PCT application claimed as a regional filing N 
国际申请  2015-10-23 PCT/JP2015/079945
国际公布  2016-05-26 WO2016/080146 JA
进入国家日期  2017.05.08
  • 专利对比文献
类型 阶段 文献号 公开日期 涉及权利要求项 相关页数
SEA  JPH05299621A  19931112  10-12  说明书第0013段-第0027段,附图1-12 
SEA  CN1725492A  20060125  1-20  全文 
SEA  US2010202191A1  20100812  1-20  全文 
SEA  CN101821810A  20100901  2-5,10-12  说明书第0010段-第0273段,附图1-63 
SEA  CN101821810A  20100901  1,6-9,15-20   
SEA  JP2013030240A  20130207  2-5  说明书第0002段-第0134段,附图1-25 
注:不保证该信息的有效性、完整性、准确性,以上信息也不具有任何效力,仅供参考。使用前请另行委托专业机构进一步查核,使用该信息的一切后果由用户自行负责。
X:单独影响权利要求的新颖性或创造性的文件;
Y:与检索报告中其他 Y类文件组合后影响权利要求的创造性的文件;
A:背景技术文件,即反映权利要求的部分技术特征或者有关的现有技术的文件;
R:任何单位或个人在申请日向专利局提交的、属于同样的发明创造的专利或专利申请文件;
P:中间文件,其公开日在申请的申请日与所要求的优先权日之间的文件,或会导致需核实该申请优先权的文件;
E:单独影响权利要求新颖性的抵触申请文件。
  • 期刊对比文献
类型 阶段 期刊文摘名称 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数
  • 书籍对比文献
类型 阶段 书名 作者 标题 涉及权利要求项 相关页数