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半导体装置及半导体装置的制造方法
审中-实审

申请号:201580002554.8 申请日:2015-04-15
摘要:将输出段用的纵向型n沟道功率MOSFET(21)和用于控制纵向型n沟道功率MOSFET(21)的横向型p沟道MOSFET(22)设置于相同的半导体基板上。横向型p沟道MOSFET(22)具备自对准地形成于栅电极(17)的Psd(p+型源区(12)和p+型漏区(13))。在Psd的内部设置有p+型扩散区(14,15)。Psd通过p+型扩散区(14,15)部分成为高杂质浓度。p+型扩散区(14,15)与纵向型n沟道功率MOSFET(21)的p+型扩散区(8)同时通过离子注入而形成,且在p+型扩散区(14,15),借由比以往宽度更窄的接触孔分别连接有金属电极层。如此,能够提高金属布线层和半导体部的接触性,并且能够实现微细化。
申请人: 富士电机株式会社
地址: 日本神奈川县川崎市
发明(设计)人: 丰田善昭 片仓英明 大江崇智
主分类号: H01L21/8234(2006.01)I
分类号: H01L21/8234(2006.01)I H01L21/336(2006.01)I H01L27/088(2006.01)I H01L29/417(2006.01)I H01L29/78(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8234申请日:20150415
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半导体装置,在相同的半导体基板上具备纵向型半导体元件和横向型半导体元件,其特征在于,所述纵向型半导体元件具有:第二导电型的第一半导体区域,其选择性地设置于构成第一导电型的半导体层的所述半导体基板的一个面的表面层;第一导电型的第二半导体区域,其选择性地设置于所述第一半导体区域的内部;第二导电型的第一扩散区,其选择性地设置于所述第一半导体区域的内部,且杂质浓度比所述第一半导体区域高;第一栅极绝缘膜,其在所述半导体层与所述第二半导体区域之间与所述第一半导体区域接触;以及第一栅电极,其与所述第一栅极绝缘膜接触,所述横向型半导体元件具有:第二导电型的第三半导体区域,其以与所述第一半导体区域分开的方式选择性地设置于所述半导体基板的一个面的表面层;第二导电型的第四半导体区域,其以与所述第一半导体区域和所述第三半导体区域分开的方式选择性地设置于所述半导体基板的一个面的表面层;第二导电型的第二扩散区,其选择性地设置于所述第三半导体区域的内部,且杂质浓度大于等于所述第三半导体区域的杂质浓度;第二导电型的第三扩散区,其选择性地设置于所述第四半导体区域的内部,且杂质浓度大于等于所述第四半导体区域的杂质浓度;以及第二栅电极,其隔着第二栅极绝缘膜设置在所述半导体层的夹在所述第三半导体区域与所述第四半导体区域之间的部分的表面上,以覆盖所述第一栅电极以及所述第二栅电极的方式设置有层间绝缘膜,设置有贯通所述层间绝缘膜的多个接触孔,所述第一扩散区、所述第二扩散区以及所述第三扩散区分别借由不同的接触孔而连接到对应的金属布线层。
公开号  105723505A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人  金玉兰 王颖
颁证日  
优先权  2014.05.14 JP 2014-100389
国际申请  2015-04-15 PCT/JP2015/061638
国际公布  2015-11-19 WO2015/174197 JA
进入国家日期  2016.05.10