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磁记录介质的制造方法
审中-实审

申请号:201580002518.1 申请日:2015-04-20
摘要:本发明的目的在于提供包含具有更大的磁各向异性常数Ku的磁记录层的磁记录介质的制造方法。本发明的磁记录介质的制造方法包括:(a)准备基板的工序;(b)将基板加热至350℃以上,使以MgO为主成分的非磁性材料沉积,形成基底层的工序;以及(c)在基底层之上形成磁记录层的工序。
申请人: 富士电机株式会社
地址: 日本神奈川
发明(设计)人: 森谷友博 岛津武仁
主分类号: G11B5/851(2006.01)I
分类号: G11B5/851(2006.01)I G11B5/65(2006.01)I G11B5/738(2006.01)I
  • 法律状态
2016-07-27  实质审查的生效IPC(主分类):G11B 5/851申请日:20150420
2016-06-29  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  磁记录介质的制造方法,其特征在于,包括:(a)准备基板的工序;(b)将所述基板加热至350℃以上,使以MgO为主成分的非磁性材料沉积,形成基底层的工序;以及(c)在所述基底层之上形成磁记录层的工序。
公开号  105723460A
公开日  2016-06-29
专利代理机构  中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038
代理人  王永红
颁证日  
优先权  2014.04.24 JP 2014-090078
国际申请  2015-04-20 PCT/JP2015/002140
国际公布  2015-10-29 WO2015/162898 JA
进入国家日期  2016.05.06