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集成有混合传感器的LED芯片及其制造方法
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申请号:201580000143.5 申请日:2015-03-23
摘要:本发明涉及发光二极管(LED)芯片,其中,混合传感器形成在氮化物基LED结构中。嵌入有这种混合传感器的芯片结构在用作照明元件的同时用作能够检测环境污染的LED发光传感器,并且具有根据电极材料的类型而作为各种环境污染传感器使用的效果。
申请人: 釜庆大学校产学协力团
地址: 韩国釜山
发明(设计)人: 安亨洙 李三宁 梁珉 申基三 刘永文
主分类号: H01L33/36(2010.01)I
分类号: H01L33/36(2010.01)I H01L25/075(2006.01)I
  • 法律状态
2017-08-25  授权
2016-02-24  实质审查的生效IPC(主分类):H01L 33/36申请日:20150323
2016-01-27  公开
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种集成有混合传感器的LED芯片,所述芯片包括:衬底;n型半导体层,形成在所述衬底上;两个或更多LED单元,形成在所述n型半导体层上以包括有源层和p型半导体层;绝缘层,形成在除了形成所述LED单元的区域之外的部分中;p型电极极板,形成在所述绝缘层上以连接至所述LED单元的所述p型半导体层;两个或更多n型电极极板,形成在被暴露在移除了所述绝缘层的区域中的所述n型半导体层上;n型电极极板连接单元,穿过所述两个或更多单元之间的中央区域以连接所述n型电极极板;以及空白空间,形成在所述n型电极极板连接单元之下。
公开号  105283971A
公开日  2016-01-27
专利代理机构  北京康信知识产权代理有限责任公司 11240
代理人  田喜庆 吴孟秋
颁证日  
优先权  2014.05.09 KR 10-2014-0055844;2014.12.02 KR 10-2014-0170126
国际申请  2015-03-23 PCT/KR2015/002832
国际公布  2015-11-12 WO2015/170825 KO
进入国家日期  2015.06.29