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一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器
无权-未缴年费

申请号:201520709045.6 申请日:2015-09-10
摘要:本实用新型公开了一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器。利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管。
申请人: 杭州宽福科技有限公司
地址: 310053 浙江省杭州市滨江区南环路4028号
发明(设计)人: 齐盛
主分类号: H03L7/099(2006.01)I
分类号: H03L7/099(2006.01)I
  • 法律状态
2017-11-03  未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H03L 7/099申请日:20150910授权公告日:20160120终止日期:20160910
2016-01-20  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种利用MOS管电容充放电延迟实现的环形振荡器,其特征在于:包括第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第五PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第一电阻、第六PMOS管、第三NMOS管、第七PMOS管、第八PMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、第九PMOS管、第十PMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管、第十一PMOS管、第十二PMOS管、第十NMOS管、第十一NMOS管、第十二NMOS管、第十三PMOS管和第十三NMOS管;所述第一PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极,漏极接所述第二PMOS管的源极和所述第三PMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第二PMOS管的栅极接地,漏极接地,源极接所述第一PMOS管的漏极和所述第三PMOS管的栅极;所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的漏极和所述第二PMOS管的源极,漏极节所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第四PMOS管的栅极节所述第一PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极,漏极接所述第三PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极节电源电压VCC;所述第五PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,源极接电源电压VCC;所述第一NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第三PMOS管的漏极和所述第二NMOS管的栅极,源极接地;所述第二NMOS管的栅极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的漏极和所述第一NMOS管的栅极和漏极,漏极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极,源极接所述第一电阻的一端;所述第一电阻的一端接所述第二NMOS管的源极,另一端接地;所述第六PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极,源极接电源电压VCC;所述第三NMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第六PMOS管的漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极,源极接地;所述第七PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第九PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第八PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;所述第八PMOS管的栅极接所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,漏极接所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,源极接所述第七PMOS管的漏极;所述第四NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,漏极接所述第八PMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,源极接所述第五NMOS管的漏极;所述第五NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第八NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极,漏极接所述第四NMOS管的源极,源极接地;述第六NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第十PMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地;述第九PMOS管的栅极接所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第十一PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第十PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;述第十PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极和所述第七NMOS管的栅极,漏极接所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,源极接所述第九PMOS管的漏极;所述第七NMOS管的栅极接所述第十PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的漏极和所述第四NMOS管的漏极和所述第六NMOS管的栅极,漏极接所述第十PMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,源极接所述第八NMOS管的漏极;所述第八NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第十一NMOS管的栅极,漏极接所述第七NMOS管的源极,源极接地;所述第九NMOS管的栅极接所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第十二PMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地;所述第十一PMOS管的栅极接所述第九PMOS管的栅极和所述第五PMOS管的栅极和漏极和所述第一PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和所述第六PMOS管的栅极和所述第七PMOS管的栅极和所述第二NMOS管的漏极,漏极接所述第十二PMOS管的源极,源极接电源电压VCC;所述第十二PMOS管的栅极接所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极和所述第十NMOS管的栅极,漏极接所述第十NMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,源极接所述第十一PMOS管的漏极;所述第十NMOS管的栅极接所述第十二PMOS管的栅极和所述第十PMOS管的漏极和所述第七NMOS管的漏极和所述第九NMOS管的栅极,漏极接所述第十二PMOS管的漏极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二NMOS管的栅极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,源极接所述第十一NMOS管的漏极;所述第十一NMOS管的栅极接所述第六PMOS管的漏极和所述第三NMOS管的栅极和漏极和所述第五NMOS管的栅极和所述第八NMOS管的栅极,漏极接所述第十NMOS管的源极,源极接地;述第十二NMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十三PMOS管的栅极和所述第十三NMOS管的栅极,漏极接地,源极接地;所述第十三PMOS管的栅极接所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极和所述第十三NMOS管的栅极,漏极作为振荡器的输出端OSCOUT,源极接电源电压VCC;所述第十三NMOS管的栅极接所述第十三PMOS管的栅极和所述第八PMOS管的栅极和所述第四NMOS管的栅极和所述第十二PMOS管的漏极和所述第十NMOS管的漏极,漏极作为振荡器的输出端OSCOUT,源极接地。
公开号  204993304U
公开日  2016-01-20
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