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一种基于双光电探测器的光电检测电路
无权-避重放弃

Photoelectric detection circuit based on two photoelectric detector

申请号:201520630892.3 申请日:2015-08-16
摘要:本实用新型公开了一种基于双光电探测器的光电检测电路,包括第一光电探测器,第二光电探测器和信号处理电路;信号处理电路输入级电路为差动输入电路;第一光电探测器包括第一器件区,第一光电探测器的第一器件区由NPN晶体管的集电区形成,M个第一光电探测器的第二器件区制作在第一光电探测器的第一器件区内,M为小于10的自然数,所述第一光电探测器的第二器件区由NPN晶体管的基区形成,第二光电探测器结构与第一光电探测器结构相同;第二光电探测器表面覆盖有铝膜。本实用新型一种光电检测电路,其光电探测传感器能够与硅双极集成电路工艺兼容,并且具有量子效率高,暗电流小的有益效果;并且其信号处理电路具有能够抑制外部电磁干扰的有益效果。
Abstract: The utility model discloses a photoelectric detection circuit based on two photoelectric detector, including a photoelectric detector, the 2nd photoelectric detector and processing circuit, processing circuit input stage circuit is the differential input circuit, a photoelectric detector includes first device region, and a photoelectric detector's first device region is formed by the collecting zone of NPN transistor, and a M photoelectric detector's second device region preparation is in a photoelectric detector's first device region, and M is for being lighter than 10 natural number, a photoelectric detector's second device region is formed by the base region of NPN transistor, and the 2nd photoelectric detector structure is the same with a photoelectric detector structure, the 2nd photoelectric detector surface covering has the aluminium membrane. The utility model relates to a photoelectric detection circuit, its photoelectric detection sensor can be compatible with the bipolar integrated circuit technology of silicon to has the quantum efficiency height, beneficial effect that the dark current is little, and its processing circuit has the beneficial effect that can restrain outside electromagnetic interference.
申请人: 重庆电子工程职业学院
Applicant: CHONGQING COLLEGE ELECT ENG
地址: 401331 重庆市沙坪坝区大学********(隐藏)
发明(设计)人: 尹洪剑
Inventor: YIN HONGJIAN
主分类号: H01L27/144(2006.01)I
分类号: H01L27/144(2006.01)I
  • 法律状态
2017-09-05  避免重复授予专利权 IPC(主分类):H01L 27/144申请日:20150816授权公告日:20160106放弃生效日:20170905
2016-01-06  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种基于双光电探测器的光电检测电路,其特征在于,包括第一光电探测器(1),第二光电探测器(2)和信号处理电路(3);所述信号处理电路(3)输入级电路为差动输入电路,信号处理电路(3)输入级电路具有两个输入端:第一输入端INA和第二输入端INB;所述第一光电探测器(1)包括第一器件区(11),所述第一光电探测器的第一器件区(11)由NPN晶体管的集电区形成,第一光电探测器的第一器件区(11)的水平方向截面为正方形;M个第一光电探测器的第二器件区(12)制作在第一光电探测器的第一器件区(11)内,M为小于10的自然数,所述第一光电探测器的第二器件区(12)由NPN晶体管的基区形成,所述NPN晶体管由硅双极工艺制作而成;所述第一光电探测器的第一器件区(11)上设有电极孔,第一光电探测器的第二器件区(12)上设有电极孔;所有设置在第一光电探测器第二器件区上的电极孔通过铝膜连接线相互连接,连接电节点记为第一光电探测器的第二端子;设置在第一光电探测器的第一器件区上的电极孔通过铝膜连接线引出,记为第一光电探测器的第一端子(13);所述第二光电探测器(2)包括第一器件区(21),所述第二光电探测器的第一器件区(21)由NPN晶体管的集电区形成,第二光电探测器的第一器件区(21)的水平方向截面为正方形;M个第二光电探测器的第二器件区(22)制作在第二光电探测器的第一器件区(21)内,M为小于10的自然数,所述第二光电探测器的第二器件区(22)由NPN晶体管的基区形成,所述NPN晶体管由硅双极工艺制作而成;所述第二光电探测器的第一器件区(21)上设有电极孔,第二光电探测器的第二器件区(22)上设有电极孔;所有设置在第二光电探测器第二器件区上的电极孔通过铝膜连接线相互连接,连接电节点记为第二光电探测器的第二端子;设置在第二光电探测器的第一器件区上的电极孔通过铝膜连接线引出,记为第二光电探测器的第一端子(23);所述第二光电探测器(2)表面覆盖有铝膜;所述第一光电探测器(1)和第二光电探测器(2)对称设置在单芯片中;所述第一光电探测器的第一端子(13)与第二光电探测器的第一端子(23)电连接;信号处理电路(3)输入级电路的第一输入端INA与第一光电探测器的第二端子相连接;信号处理电路(3)输入级电路的第二输入端INB与第二光电探测器的第二端子相连接。
公开号  204946900U
公开日  2016-01-06
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颁证日  
优先权  
 
国别 优先权号 优先权日 类型
CN  201520630892  20150816 
国际申请  
国际公布  
进入国家日期  
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引用文献
 
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CN105097849A