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一种高相噪性能的VCO电路
有权

申请号:201520612377.2 申请日:2015-08-14
摘要:本实用新型公开了一种高相噪性能的VCO电路,它包括V-I转换电路、CCO电路、电源电压和控制电压,所述的V-I转换电路包括组成该电路的高压MOS管第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1;所述的CCO电路包括组成该电路的低压MOS管第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4;所述的电源电压、控制电压分别与V-I转换电路连接,V-I转换电路与CCO电路连接,CCO电路与地连接。该电路采用高压MOS管构成V-I转换电路,使用高电压作为电源电压,能够有效提高CCO电路输出信号的摆幅,提高VCO电路的相噪性能。
申请人: 成都振芯科技股份有限公司
地址: 610000 四川省成都市高新区高朋大道1号
发明(设计)人: 刘辉 但泽杨
主分类号: H03L7/099(2006.01)I
分类号: H03L7/099(2006.01)I
  • 法律状态
2016-01-20  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种高相噪性能的VCO电路,它包括V?I转换电路、CCO电路、电源电压和控制电压,其特征在于:所述的V?I转换电路包括第一PMOS管P1、第二PMOS管P2、第一NMOS管N1,第一PMOS管P1、第二PMOS管P2和第一NMOS管N1为高压MOS管;所述的CCO电路包括第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4,第三PMOS管P3、第四PMOS管P4、第五PMOS管P5、第二NMOS管N2、第三NMOS管N3和第四NMOS管N4均为低压MOS管;所述的电源电压、控制电压分别与V?I转换电路连接,V?I转换电路与CCO电路连接,CCO电路与地连接。
公开号  204993303U
公开日  2016-01-20
专利代理机构  成都金英专利代理事务所(普通合伙) 51218
代理人  袁英
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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