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微分式达林顿型发射装置
有权

申请号:201520472387.0 申请日:2015-06-30
摘要:微分式达林顿型发射装置,属于电子技术领域。是将具有三种状态的普通编码升级为一种高密编码的一种形式,由电池、发射开关、微分型达林顿式转换电路、三极管型变码控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成。在发射开关按下后,微分型达林顿式转换电路立即启动,启动三极管变码控制电路随之形成两次变换,控制编码集成电路的变动码也随之形成两次的变换,通过对射频电路中调制三极管的激励,达到双码调制发射的目的。微分型达林顿式转换电路、三极管型变码电路与编码集成电路配合后,在单独使用时有很高的防破解能力,与滚动码组合使用时,能起到强强联合的最佳效果,它的造价低,十分适用于微型企业。
申请人: 重庆尊来科技有限责任公司
地址: 401424 重庆市綦江县隆盛镇关口街17号
发明(设计)人: 杨远敏
主分类号: H04B1/04(2006.01)I
分类号: H04B1/04(2006.01)I
  • 法律状态
2016-01-20  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  微分式达林顿型发射装置,其特征是:由电池、发射开关、微分型达林顿式转换电路、三极管型变码控制电路、编码集成电路、射频电路共同组成;其中:电池的负极接微分式达林顿型发射装置的地线,电池的正极接发射开关的一端,发射开关的另一端为微分式达林顿型发射装置的电源;编码集成电路的地址码中的一位地址码接为变动码,其余接为固定码;微分型达林顿式转换电路的输出连接三极管型变码控制电路的输入,三极管型变码控制电路的输出连接编码集成电路的变动码,编码集成电路的输出连接射频电路;微分型达林顿式转换电路由微分电路、达林顿电路组成;微分电路由微分电容、放电二极管、触发电阻组成;达林顿电路由达林顿一管、达林顿二管、基极对地电阻、集电极电阻组成;微分电容的一端连接电源,微分电容的另一端接两路,一路接放电二极管到地线,一路接触发电阻到达林顿一管的基极,基极对地电阻接在地线与达林顿一管的基极之间,达林顿一管的发射极连接达林顿二管的基极,达林顿二管的发射极接地线,达林顿一管与达林顿二管的集电极接在一起,即是微分型达林顿式转换电路的输出,连接集电极电阻到电源;三极管型变码控制电路的由基极控制电阻与控制三极管组成:基极控制电阻的一端即是三极管型变码控制电路的输入端,与微分型达林顿式转换电路的输出相接,基极控制电阻的另一端连接控制三极管的基极,控制三极管的发射极接电源,控制三极管的集电极即是三极管型变码控制电路的输出,连接编码集成电路的变动码;射频电路由调制电路、高频电路、铜箔天线组成;铜箔天线是∩形状,左右两条垂直铜箔用弧形铜箔吻接,其尺寸是,铜箔宽度为2毫米,左右两条垂直的铜箔长度为30毫米,两条垂直铜箔的间距为20毫米,吻接两条垂直铜箔的弧形铜箔的高度是4.5毫米;调制电路由调制电阻与调制三极管组成;高频电路由晶振、调频电容、与调频电容并联的固定电容、旁路电容、去耦电容、高频发射管、高频发射管的基极电阻组成;高频电路:晶振有三个端头,一个端头接铜箔天线的输入端,第二个端头接高频发射管的基极,第三个端头接高频发射管的发射极;高频发射管的基极电阻接在铜箔天线的输入端与高频发射管的基极之间,高频发射管的集电极接铜箔天线的输出端;铜箔天线的输入端与输出端之间接一个调频电容,调频电容并联一个固定电容;旁路电路接在铜箔天线的输入端与高频发射管的发射极之间;去耦电容接在铜箔天线的输出端与地线之间。
公开号  204993313U
公开日  2016-01-20
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