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一种垂直结构的GaN基肖特基二极管
有权

申请号:201520330917.8 申请日:2015-05-21
摘要:本实用新型公开了一种垂直结构的GaN基肖特基二极管,涉及半导体器件技术领域。包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的衬底,在所述的衬底上外延生长高掺杂的N+型GaN层,在所述的N+型GaN层上外延生长高掺杂的N-型GaN层,在所述的N-型GaN层上部蒸发有肖特基接触电极,所述肖特基接触电极通过空气桥与阳极电极连接,所述衬底底面刻蚀有第一刻蚀孔,衬底正面刻蚀有第二刻蚀孔,所述第一刻蚀孔在所述衬底与N+型GaN层连接处的正下方,第二刻蚀孔在阴极电极和N+型GaN和N-型GaN台面结构之间,所述第一刻蚀孔和第二刻蚀孔内蒸发有欧姆接触电极,欧姆接触电极通过电镀金属层与阴极电极连接。本实用新型缩短了欧姆接触与肖特基接触之间的距离,减小了器件的扩展电阻,提高了器件的截至频率。
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
地址: 050051 河北省石家庄市合作路113号
发明(设计)人: 梁士雄 房玉龙 邢东 王俊龙 杨大宝 张立森 冯志红
主分类号: H01L29/872(2006.01)I
分类号: H01L29/872(2006.01)I H01L21/329(2006.01)I
  • 法律状态
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种垂直结构的GaN基肖特基二极管,其特征在于:包括用于支撑整个GaN肖特基二极管的衬底(1),在所述的衬底(1)上外延生长高掺杂的N+型GaN层(2),在所述的N+型GaN层(2)上外延生长高掺杂的N?型GaN层(3),在所述的N?型GaN层(3)上部蒸发有肖特基接触电极(4),所述肖特基接触电极(4)通过空气桥(7)与阳极电极(6)连接,所述衬底(1)底面刻蚀有第一刻蚀孔(9),衬底正面刻蚀有第二刻蚀孔(10),所述第一刻蚀孔(9)在所述衬底(1)与N+型GaN层(2)连接处的正下方,第二刻蚀孔(10)在阴极电极(5)与N+型GaN和N?型GaN台面结构之间,所述第一刻蚀孔(9)和第二刻蚀孔(10)内蒸发有欧姆接触电极(8),欧姆接触电极(8)通过电镀金属层与阴极电极(5)连接。
公开号  204596798U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人  陆林生
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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