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可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管
有权

申请号:201520326936.3 申请日:2015-05-20
摘要:本实用新型公开了一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管,涉及二极管技术领域。所述二极管包括位于衬底上的第一金属电极组件、第二金属电极组件、第一二极管组件和第二二极管组件,所述二极管通过将一端的金属电极组件分成两个小的分电极组件,可以在两个小的分电极组件上引入直流馈电,增加直流偏置,可选择偏置使二极管工作在变容管状态或变阻管状态,工作在容性状态,可以获得较好的倍频效率,工作在阻性状态,可以获得较大的工作带宽。
申请人: 中国电子科技集团公司第十三研究所
地址: 050051 河北省石家庄市合作路113号
发明(设计)人: 王俊龙 邢东 梁士雄 张立森 杨大宝 赵向阳 冯志红
主分类号: H01L29/872(2006.01)I
分类号: H01L29/872(2006.01)I H01L29/41(2006.01)I
  • 法律状态
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种可偏置类混频GaAs基太赫兹肖特基二极管,所述二极管包括位于衬底(1)上的第一金属电极组件(2)、第二金属电极组件(3)、第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5),所述第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5)位于第一金属电极组件(2)和第二金属电极组件(3)之间,所述第一金属电极组件(2)和第二金属电极组件(3)从下到上为第一重掺杂GaAs层(6)、第一低掺杂GaAs(7)、第一二氧化硅层(8)和第一金属电极层(9),所述第一金属电极层(9)内嵌于所述第一重掺杂GaAs层(6)、第一低掺杂GaAs层(7)和第一二氧化硅层(8),且第一金属电极层(9)上表面的高度大于第一二氧化硅层(8)上表面的高度,第一肖特基接触金属层(10)内嵌于所述第一二氧化硅层(8),且第一肖特基接触金属层(10)与第一低掺杂GaAs层(7)相接触;所述第一二极管组件(4)和第二二极管组件(5)从下到上为第二重掺杂GaAs层(11)、第二低掺杂GaAs(12)、第二二氧化硅层(13)和第二金属电极层(14),所述第二金属电极层(14)内嵌于所述第二重掺杂GaAs层(11)、第二低掺杂GaAs层(12)和第二二氧化硅层(13),且第二金属电极层(14)上表面的高度大于第二二氧化硅层(13)上表面的高度,第二肖特基接触金属层(15)内嵌于所述第二二氧化硅层(13),且第二肖特基接触金属层(15)与第二低掺杂GaAs层(12)相接触;其特征在于:所述第二金属电极组件(3)沿左右方向被分割成两个分电极组件,所述第一金属电极组件(2)上的第一金属电极层(9)通过金属空气桥(16)与第一二极管组件(4)上的第二肖特基接触金属层(15)连接,所述第一二极管组件(4)上的第二金属电极层(14)与第一分电极组件(31)上的第一肖特基接触金属层(10)通过金属空气桥(16)连接,第二分电极组件(32)上的第一金属电极层(9)通过金属空气桥(16)与第二二极管组件(5)上的第二肖特基接触金属层(15)连接,所述第二二极管组件(5)上的第二金属电极层(14)通过金属空气桥(16)与第一金属电极组件(2)上的第一肖特基接触金属层(10)连接。
公开号  204596797U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人  黄辉本
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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