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双向TVS器件结构
有权

申请号:201520322456.X 申请日:2015-05-18
摘要:本实用新型提供了一种双向TVS器件结构,在凹槽内淀积第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层进行填充保护,避免传统的磷硅玻璃作填充时产生的厚度不均匀、空洞、易脱落等问题,其中第一氧化硅层和第二氧化硅层与其他膜层具有良好的粘附性,氮氧化硅层不易吸潮,有利于提高双向TVS器件的可靠性。
申请人: 杭州士兰集成电路有限公司
地址: 310018 浙江省杭州市浙江省杭州(下沙)经济技术开发区东区10号路308号
发明(设计)人: 张常军 王平 陈祖银 周琼琼
主分类号: H01L29/861(2006.01)I
分类号: H01L29/861(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I H01L21/329(2006.01)I
  • 法律状态
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种双向TVS器件结构,其特征在于,包括:硅衬底;形成于所述硅衬底正面和背面的掺杂区,所述掺杂区与所述硅衬底的掺杂类型相反;刻蚀所述硅衬底正面和背面形成的凹槽;依次淀积于所述硅衬底正面和背面上的第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层,所述第一氧化硅层、氮氧化硅层以及第二氧化硅层覆盖所述凹槽的表面;暴露所述硅衬底正面和背面的接触孔;以及形成于所述接触孔中的正面金属层和背面金属层。
公开号  204596796U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人  余毅勤
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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