搜索 分析 新世界 法规 图书 网址导航 更多
高级用户登录 | 登录 | |

功率半导体模块内部连接结构
有权

申请号:201520279197.7 申请日:2015-05-04
摘要:功率半导体模块内部连接结构,它包括一预先注塑有铜端子的下壳体,在所述下壳体内还有半导体芯片和绝缘基板,所述的铜端子的底部通过超声键合方式与绝缘基板的正面铜层结合在一起;且不同绝缘基板的正面铜层之间也通过铜键合方式直接连接;所述的铜端子位于下壳体内部的连接端采用裸铜结构,位于下壳体外部的连接端采用电镀保护并有良好的锡焊能力,且外部连接端与内部连接端之间有三个以上的折弯结构;不同绝缘基板的正面铜层之间的铜键合方式直接连接使用的是粗铜线材料;它具有高导热率、高导电率、内部方便连接等特点。
申请人: 嘉兴斯达半导体股份有限公司
地址: 314006 浙江省嘉兴市湖南区科兴路988号
发明(设计)人: 陈斌
主分类号: H01L23/48(2006.01)I
分类号: H01L23/48(2006.01)I
  • 法律状态
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  功率半导体模块内部连接结构,它包括一预先注塑有铜端子的下壳体,在所述下壳体内还有半导体芯片和绝缘基板,其特征在于所述的铜端子的底部通过超声键合方式与绝缘基板的正面铜层结合在一起;且不同绝缘基板的正面铜层之间也通过铜键合方式直接连接。
公开号  204596783U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  杭州九洲专利事务所有限公司 33101
代理人  翁霁明
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
进入国家日期