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一种半超结MOSFET结构
有权

申请号:201520258624.3 申请日:2015-04-24
摘要:本实用新型提供一种半超结MOSFET结构,该结构包括至少一个晶体管单元,所述晶体管单元包括:N型重掺杂衬底及依次形成于其上的N型辅助层、N型漂移层;所述N型漂移层中形成有第一、第二P柱;所述第一、第二P柱顶端分别连接有第一、第二P型体区;所述N型漂移层表面形成有栅极结构;所述栅极结构位于所述第一、第二P柱之间,且两端分别与所述第一、第二P型体区接触;其中:所述第一、第二P柱底端均连接有至少一个P岛结构,所述P岛结构位于所述N型漂移层中。本实用新型中,所述P岛结构的存在可以有效增加沟槽深度,优化沟槽底部掺杂,并结合底部辅助耗尽层,从而在现有的工艺能力条件下,进一步提高超结MOSFET的耐压范围,拓展其应用领域。
申请人: 无锡同方微电子有限公司
地址: 214000 江苏省无锡市新区菱湖大道200号中国传感网国际创新园G8二楼
发明(设计)人: 白玉明 钱振华 张海涛
主分类号: H01L29/78(2006.01)I
分类号: H01L29/78(2006.01)I H01L29/06(2006.01)I
  • 法律状态
2015-08-26  授权
注:本法律状态信息仅供参考,即时准确的法律状态信息须到国家知识产权局办理专利登记簿副本。
  • 其他信息
主权项  一种半超结MOSFET结构,包括至少一个晶体管单元,所述晶体管单元包括:N型重掺杂衬底及依次形成于所述N型重掺杂衬底上的N型辅助层、N型漂移层;所述N型漂移层中形成有第一P柱及第二P柱;所述第一P柱及第二P柱顶端分别连接有第一P型体区及第二P型体区,且所述第一P型体区及第二P型体区位于所述N型漂移层内;所述N型漂移层表面形成有栅极结构;所述栅极结构位于所述第一P柱及第二P柱之间,且所述栅极结构两端分别与所述第一P型体区及第二P型体区接触;其特征在于:所述第一P柱及第二P柱底端均连接有至少一个P岛结构,且所述P岛结构位于所述N型漂移层中。
公开号  204596795U
公开日  2015-08-26
专利代理机构  上海光华专利事务所 31219
代理人  余明伟
颁证日  
优先权  
国际申请  
国际公布  
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